[发明专利]BiVO4有效

专利信息
申请号: 202110566485.0 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113403642B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 白红叶;孙东甜;范伟强;白亚杰;庞绪良 申请(专利权)人: 江苏大学
主分类号: C25B11/091 分类号: C25B11/091;C25B11/053;C25B1/04;C25B1/55;C25D9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 212013 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: bivo base sub
【权利要求书】:

1.一种BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

A、在50mL去离子水中加入3.32g KI和0.97g Bi(NO3)3·5H2O,搅拌溶解后用浓硝酸调节pH为1.7,命名为A溶液;将0.4968g对苯醌加入到20mL乙醇中,搅拌至溶解,命名为B溶液;将所述A与B溶液混合,搅拌均匀后即为前驱体溶液;在清洗干净的FTO表面电沉积获得BiOI薄膜,在其表面滴加钒源之后,300~550℃煅烧1~4h,得到BiVO4薄膜,其中,所述电沉积,以FTO为工作电极,Ag/AgCl和Pt分别为参比电极和对电极,与电化学工作站相连,设置偏压为-0.1V vs.Ag/AgCl,时间为5min;

B、四个烧杯分别添加50mL去离子水并编号1、2、3、4,在1号烧杯中溶解0.05~0.15mmolCo(NO3)2·6H2O,在3号烧杯中溶解0.05~0.15mmol Na2S;

C、将负载有BiVO4的FTO片依编号次序在上述烧杯中浸泡,循环10-50次后取出,去离子水洗净,室温干燥,即可得到BiVO4/Co1-XS。

2.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤A所述在其表面滴加钒源之后,450℃煅烧2h,得到BiVO4薄膜。

3.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤A所述清洗干净的FTO玻璃片,先清洁FTO玻璃片表面,然后在丙酮、异丙醇和乙二醇中分别对其超声波清洗0.5h,取出,晾干。

4.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤A所述钒源为含有0.2M乙酰丙酮氧钒的二甲亚砜溶液。

5.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤B所述在1号烧杯中溶解0.1mmol Co(NO3)2·6H2O。

6.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤B所述在3号烧杯中溶解0.1mmol Na2S。

7.根据权利要求1所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的制备方法,其特征在于:步骤C所述将负载有BiVO4的FTO片依编号次序在上述烧杯中浸泡,循环30次后取出。

8.根据权利要求1-7任一所述方法制备得到的BiVO4/Co1-XS复合光电极,其特征在于:所述复合光电极中BiVO4呈现出蠕虫状结构,复合Co1-XS后,BiVO4表面具有明显的纳米颗粒。

9.一种如权利要求8所述BiVO4/Co1-XS复合光电极的应用,其特征在于:将其应用于光电催化分解水制氢。

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