[发明专利]陶瓷基复合材料用耐高温、抗水氧低红外发射率复合薄膜及制备方法有效
申请号: | 202110565962.1 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113403594B | 公开(公告)日: | 2023-03-31 |
发明(设计)人: | 范晓孟;李鑫;罗豪杰;刘永胜;叶昉;薛继梅 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/14 |
代理公司: | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 复合材料 耐高温 抗水氧低 红外 发射 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种制备陶瓷基复合材料用耐高温、抗水氧低红外发射率复合薄膜的制备方法,其特征在于:所述陶瓷基复合材料用耐高温、抗水氧低红外发射率复合薄膜由高导电金属材料和环境屏障涂层材料,在目标物体表面使用磁控溅射法混合均匀掺杂而成复合薄膜,其中高导电金属材料组分含量为30-70vol.%;
制备方法步骤如下:
步骤1:将目标物体表面清洗干净后,固定于磁控溅射沉积载台;
步骤2:以金属和陶瓷靶材作为磁控溅射靶,溅射背景真空为低于8×10-1Pa;
步骤3:通入气氛为纯度大于等于99.99%的氩气,调整溅射气压至(3-9)×10-1Pa,设定溅射功率为100-400W;
步骤4:使用直流磁控溅射金属,采用射频磁控溅射陶瓷靶材,溅射30-60分钟,溅射速率为10-50nm/min,制备得到低红外发射率复合薄膜;
所述薄膜为连续成膜的高温导电复合薄膜,厚度≥100nm;
所述环境屏障涂层材料为钡锶铝硅。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述直流磁控溅射金属和射频磁控溅射陶瓷靶材的溅射速率取决于金属材料组分含量在30-70vol.%之间的调控。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述高导电金属材料为金、银、钛或铂。
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