[发明专利]一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法

权利要求书

1.一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1)：将压制好的高Mo含量Ti-Mo合金电极块放入真空自耗电弧炉中焊接，形成焊接电极棒；

步骤2)：将步骤1)中所述的焊接电极棒进行真空自耗电弧熔炼，形成一次Ti-Mo合金铸锭；

步骤3)：将步骤2)中获得的一次Ti-Mo合金铸锭每两根为一组，头尾相接进行第二次真空自耗电弧熔炼，形成二次Ti-Mo合金铸锭；

步骤4)：将步骤3)中获得的二次Ti-Mo合金铸锭车光表面，然后进行锻造，锻造成一次Ti-Mo合金铸锭规格，车光表面氧化层，形成锻造后二次铸锭；

步骤5)：将步骤4)中的锻造后二次铸锭进行第三次真空自耗电弧熔炼，形成三次Ti-Mo合金铸锭；

步骤6)：将步骤5)中形成的三次Ti-Mo合金铸锭每两根为一组，头尾相接，进行第四次真空自耗电弧熔炼，形成四次Ti-Mo合金铸锭；

步骤7)：将步骤6)中获得的四次Ti-Mo合金铸锭，头尾颠倒，进行第五次真空自耗电弧熔炼，形成五次Ti-Mo合金铸锭；

上述步骤6)中，将步骤5)中获得的三次Ti-Mo合金铸锭平端面后，每两根头尾在真空自耗电弧炉中焊接，焊接材料为纯钛棒或海绵钛，进行四次Ti-Mo合金铸锭熔炼，真空度≤0.01Pa，漏气率≤0.01Pa/min，起弧电流范围：4500A-5000A，待熔池稳定后，逐渐上升至16000A，电流增速500A/min，搅拌电流为600-1200转/min，熔炼完成后在真空自耗电弧炉中冷却至200℃以下出炉空冷；

上述步骤7)中，将步骤6)中获得的四次Ti-Mo合金铸锭头尾颠倒进行熔炼，熔化工艺为：起弧电流4500-5000A，待熔池稳定后，逐渐上升至16000A，电流增速500A/min；待行程熔化至四次铸锭高度70％时降低电流强度，搅拌电流为600-1200转/min，然后分阶段降低电流强度，熔炼完成后在真空自耗电弧炉中冷却至200℃以下出炉空冷。

2.根据权利要求1所述的一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：上述步骤1)中，采用所述真空自耗电弧炉进行电极棒焊接，起弧材料为纯钛棒或海绵钛颗粒，真空度≤0.01Pa，漏气率≤0.01Pa/min。

3.根据权利要求1所述的一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：上述步骤2)中，所述一次Ti-Mo合金铸锭的熔炼：真空度≤0.01Pa，漏气率≤0.01Pa/min，起弧电流范围：4500A-5000A，待熔池稳定后，逐渐上升至20000A，电流增速2000A/min。

4.根据权利要求1所述的一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：上述步骤3)中，在二次Ti-Mo合金铸锭熔炼之前，将一次Ti-Mo合金铸锭用车床车平端面，将两根一次Ti-Mo合金铸锭头尾在真空自耗电弧炉中焊接，焊接材料为纯钛棒或海绵钛；进行二次Ti-Mo合金铸锭熔炼时：真空度≤0.01Pa，漏气率≤0.01Pa/min，起弧电流范围：4500A-5000A，待熔池稳定后，逐渐上升至18000A，电流增速1000A/min，熔炼完成后在真空自耗电弧炉中冷却至200℃以下出炉空冷。

5.根据权利要求1所述的一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：上述步骤4)中，将步骤3)中获得的二次Ti-Mo合金铸锭车光表面，去除表面裂纹后进行锻造，锻造温度1100-1200℃，锻造成一次Ti-Mo合金铸锭规格，机加工去除表面氧化层。

6.根据权利要求1所述的一种高Mo含量Ti-Mo合金均质铸锭真空自耗熔炼方法，其特征在于：上述步骤5)中，将步骤4)中的锻造后二次铸锭在步骤3)中使用的结晶器中进行三次Ti-Mo合金铸锭熔炼，真空度≤0.01Pa，漏气率≤0.01Pa/min，起弧电流范围：4500A-5000A，待熔池稳定后，逐渐上升至18000A，电流增速1000A/min，熔炼完成后在真空自耗电弧炉中冷却至200℃以下出炉空冷。