[发明专利]一种基于传输门的射频信号发生系统及方法有效

专利信息
申请号: 202110558118.6 申请日: 2021-05-21
公开(公告)号: CN113406410B 公开(公告)日: 2022-05-31
发明(设计)人: 粟涛;陈瑶;张志文 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R31/28;G01R1/28
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 郑宏谋
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 传输 射频 信号 发生 系统 方法
【说明书】:

发明公开了一种基于传输门的射频信号发生系统及方法,其中系统包括:射频干扰源发生器,与待测电路制作在同一块芯片上,用于向待测电路产生干扰信号;所述射频干扰源发生器包括多个传输门;控制模块,用于控制所述传输门的导通情况,以控制干扰信号的频率及波形。本发明通过在片内生成任意频率、任意幅度、任意波形的射频干扰信号,解决现有注入方法的缺陷,也避免了因操作不当导致的仪器损坏问题,可广泛应用于芯片测试领域。

技术领域

本发明涉及芯片测试领域,尤其涉及一种基于传输门的射频信号发生系统及方法。

背景技术

根据集成电路电磁抗扰度标准IEC62132,常见芯片抗扰度测量方法包括:TEM小室和宽带TEM小室法、大电流注入法、射频功率直接注入法(DPI)及工作台法拉第笼法。其中典型的DPI法测试结构如图4所示,射频信号发生器产生的射频信号经功率放大器放大,传导至芯片注入端对待测芯片(DUT)的引脚处电压进行干扰,并利用定向耦合器观测注入射频功率值。对射频干扰信号进行扫频,记录待测芯片在每个频点的临界失效功率,可以得到待测芯片的抗扰度曲线。

利用DPI法进行抗扰度测试时,当干扰频率升高,由于待测芯片封装引脚的低通滤波效应、注入干扰路径的阻抗失配,实际注入到芯片内部的干扰功率已被大幅度衰减,如果试图一味地增大注入干扰功率来使被测芯片失效,则需要的功率非常大,可能会引发外部电路元件击穿等安全隐患。

射频功率放大器常由于环境原因或操作不当容易引起功放失效,失效原因包括:1)运输、接触导致静电击穿;2)输入功率电平超出安全范围;3)负载不匹配,例如负载开路或短路使得射频能量无法有效传输造成热积累,导致功放烧毁;4)环境温度过高或散热不良。总而言之,外部直接功率注入方法在高频范围存在很大的局限性。

发明内容

为至少一定程度上解决现有技术中存在的技术问题之一,本发明的目的在于提供一种基于传输门的射频信号发生系统及方法。

本发明所采用的技术方案是:

一种基于传输门的射频信号发生系统,包括:

射频干扰源发生器,与待测电路制作在同一块芯片上,用于向待测电路产生干扰信号;

所述射频干扰源发生器包括多个传输门;

控制模块,用于控制所述传输门的导通情况,以控制干扰信号的频率及波形。

进一步,n个所述传输门组成一个传输门组,所述射频干扰源发生器包括m个所述传输门组;

所有的所述传输门的控制端与所述控制模块连接;

同一个所述传输门组内的所有传输门的输入端互连作为传输门组的输入端,同一个所述传输门组内的所有传输门的输出端互连作为传输门组的输出端;

同一个所述传输门组内的传输门的输入电压相同,不同传输门组内的传输门的输入电压不同;

各所述传输门组的输出端互连,且与待测电路连接。

进一步,所述控制模块通过控制传输门的导通情况,以控制射频干扰源发生器产生正弦波、三角波或方波中任一种波形的干扰信号。

进一步,所述n大于或等于3,所述m大于或等于3。

进一步,所述传输门包括一个NMOS和一个PMOS;

NMOS的漏极与PMOS的漏极连接,作为传输门的输入端;

NMOS的源极与PMOS的源极连接,作为传输门的输出端;

NMOS的栅极和PMOS的栅极作为传输门的控制端,控制模块与传输门的控制端连接,用于控制传输门的导通情况,当传输门导通,输入电压从传输门的输入端传输至传输门的输出端。

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