[发明专利]一种高性能、强限域纯蓝CsPbBr3 有效
申请号: | 202110557723.1 | 申请日: | 2021-05-21 |
公开(公告)号: | CN113308244B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 杨维清;曹晶晶;吕军;闫成;李文;曾贤侃 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | C09K11/66 | 分类号: | C09K11/66;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/50 |
代理公司: | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人: | 李林合 |
地址: | 610031*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 强限域纯蓝 cspbbr base sub | ||
1.一种高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)前驱体溶液的合成
将铯源、铅源置于同一溶剂中搅拌反应,再加入有机配体继续搅拌后,得到前驱体溶液;
(2)反溶剂重结晶
将溴化氢与甲苯按照体积比为1~3:400混合后,向其中加入甲苯体积5倍量的液氮,即可获得低温的反溶剂溶液,25s后,将前驱体溶液注入到低温的反溶剂溶液中,混合溶液立即冻住,几秒钟后,固体融化,收集溶液;
所述前驱体溶液与反溶剂溶液的体积比为1:10~11,注入时间不大于30s;
(3)纯化
将步骤(2)制得的溶液立即离心,取上清液加入有机溶剂并再次离心,取固体沉淀即可。
2.如权利要求1所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于:步骤(1)所述铯源为溴化铯,所述铅源为溴化铅,所述溶剂为N,N-二甲基甲酰胺,其中铯源和铅源搅拌反应后的浓度均为0.03~0.05mol/L。
3.如权利要求2所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于:步骤(1)所述有机配体为油胺与油酸的混合物,油胺、油酸以及N,N-二甲基甲酰胺的体积比为2:1:20,两次搅拌的时间均为1~3h。
4.如权利要求1所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于:步骤(3)所述混合溶液离心的转速为8000rpm,离心的时间为5min。
5.如权利要求1所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于:步骤(3)所述有机溶剂为乙酸甲酯,乙酸甲酯与上清液的体积比为2:0.75-1。
6.如权利要求1所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法,其特征在于:步骤(3)所述再次离心的转速为10000rpm,离心的时间为10min。
7.采用权利要求1-6任一项所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点的低温制备方法制备得到的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点。
8.权利要求7所述的高性能、强限域纯蓝CsPbBr3量子点在制备LED器件中的应用。
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