[发明专利]一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器，其特征是：包括壳体及封装在壳体内的电容器单元，所述电容器单元包括自上而下一次设置的上部电极、氧化物电介质薄膜、基底，所述氧化物电介质薄膜表面为一层结晶化的氧化物；

所述氧化物电介质薄膜为铝氧化合物，厚度为200-300nm；

所述氧化物电介质薄膜表面经plasma处理得到结晶化的氧化物厚度为5-10nm。

2.根据权利要求1所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器，其特征是：所述上部电极为金属电极，厚度为150-250nm。

3.根据权利要求2所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器，其特征是：所述上部电极沉积在氧化物电介质薄膜上。

4.一种如权利要求3所述的低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器的制备方法，其特征是：具体包括如下步骤：

(1)制备铝氧化合物溶胶前驱体：

(1-1)将0.01-0.02mol异丙醇铝进行研磨，随后加入到50-60mL乙二醇乙醚中进行超声分散10-30min，并于60-80℃恒温搅拌0.5-1h；

(1-2)在步骤(1-1)所得的溶液中加入0.02-0.03mol乙酰丙酮，在60-80℃下恒温搅拌0.5-1h，得到溶液；

(1-3)在步骤(1-2)所得的溶液中加入10mL冰醋酸，在60-80℃下恒温搅拌0.5-1h，得到澄清的溶胶前驱体；

(2)将步骤(1-3)制得的溶胶前驱体涂覆在基底上，并进行热处理，制得1层该氧化物薄膜；重复此步骤5-9次后，经450℃退火3-5h制得铝氧化合物薄膜；

(3)将步骤(2)得到铝氧化合物薄膜的表面经过Plasma，得到表面结晶化的铝氧化合物薄膜；

(4)采用蒸发镀膜法或磁控溅射法在上述铝氧化合物薄膜上制备一层金属薄膜作为上部电极，得到电容器单元；

(5)将制备好的电容器单元或将电容器单元组合，通过绝缘介质进行封装固化，再进行两端引线，制得低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器。

5.根据权利要求4所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器的制备方法，其特征是：所述的步骤(2)中制备的铝氧化合物薄膜的厚度为200-300nm。

6.根据权利要求4所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器的制备方法，其特征是：所述的步骤(2)中所采用的基体为硬质或柔性基底，且基体为有机或无机材料。

7.根据权利要求4所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器的制备方法，其特征是：所述的步骤(3)中铝氧化合物薄膜表面Plasma处理时间为0.5-5min。

8.根据权利要求4所述的一种低漏导高耐压固态电介质薄膜电容器的制备方法，其特征是：所述的步骤(3)中铝氧化合物薄膜表面结晶化的铝氧化合物厚度为5-10nm。