[发明专利]运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备及方法

权利要求书

1.一种运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，其特征在于，包括电源模块、控制模块、传输电路、红外识别手势控制装置和采样电路；所述控制模块接收红外识别手势控制装置的信号，所述控制模块分别连接电源模块、采用电路和传输电路，所述控制模块的主控芯片为芯片STM32F103VE。

2.根据权利要求1所述的运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，其特征在于，所述电源模块包括芯片AMS1086、电容C2、电容C5、电容C10和电容C12；所述芯片AMS1086的第1引脚连接地，所述芯片AMS1086的第2引脚连接芯片AMS1086的第4引脚，所述芯片AMS1086的第3引脚分别连接接地电容C5、接地电容C2和5V电源。

3.根据权利要求1所述的运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，其特征在于，所述传输电路包括芯片SP3485E、电阻、三极管Q1、稳压管D2、稳压管D3、电容C17和电容C18、5V电源；所述电阻包括电阻电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14；

所述芯片SP3485E的第1引脚连接电阻R12，所述芯片SP3485E的第2引脚分别连接芯片SP3485E的第3引脚、三极管Q1的集电极和电阻R10的一端，所述芯片SP3485E的第4引脚分别连接电阻R9的一端、电阻R11的一端，所述电阻R11的另一端连接5V电源，所述电阻R9的另一端连接5V电源，所述三极管Q1的发射极连接地，所述芯片SP3485E的第5引脚连接地，所述芯片SP3485E的第6引脚连接电阻R14的一端、电阻R15的一端、接地电容C18和接地稳压管D3，所述芯片SP3485E的第7引脚分别连接接地电阻R13、电阻R15的另一端、接地电容C17和接地稳压管D2。

4.根据权利要求1所述的运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，其特征在于，所述采样电路包括放大器U1A、放大器U1B、电流互感器TA1；所述电流互感器TA1的第2引脚和第4引脚均接地，所述电流互感器TA1的第1引脚连接放大器U1A的第3引脚，所述芯片U1A的第2引脚连接芯片U1A的第1引脚和电阻R3的一端，所述电阻R3的另一端分别连接电阻R4的一端和放大器U1B的第5引脚，所述电阻R4的另一端连接滑动变阻器RV1，所述放大器U1B的第6引脚分别连接放大器U1B的第7引脚和电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端连接芯片STM32F103VE的第26引脚。

5.采用权利要求4所述的运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，所述采样电路的采样方法包括以下步骤：

S1：开始捕捉116次芯片STM32F103VE的ADC，先按时间先后顺序中间50组数据，进行冒泡排序，按从大到小排列；

S2：按大小排序中间的20个数据求平均值为电流脉冲取样值；

S3：根据芯片STM32F103VE内的内ADC采样值与实际电流比例计算校准后计算实际电流；

S4：芯片STM32F103VE内部的ADC采样电压是0-3.3V，没有信号时电流为0时需要用RV1将PC1调整到1.65V；

S5：高频脉冲电流互感器50A:100ma，理论采样电阻为25.5欧，芯片STM32F103VE的PC3处的电压＝(3.30V+取样电压)/2，最大取样电压3.3V，最大脉冲电流3300/51＝64.7A。

6.根据权利要求5所述的运用超高压正负复合脉冲电场的肿瘤消融设备，所述采样电路的采样方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下子步骤：

S21：建立模拟值限幅自适应的滑动窗口，所述窗口宽度为可观察的采样数据点数，设置为20，窗口高度±5％，窗口高度设置为误差的百分数，可以自动调节在不同窗口区间剔除的模拟值不可信数据，达到自动调节模拟值窗口高度的目的；

步骤S22：窗口滑动。寻找可信的数据空间间，窗口采样时间的变化而同步移动；

步骤S23：返回可信的平均值。

7.应用权利要求1设备的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：X轴上为放电正脉冲，X轴以下为放电负脉冲，一次放电是3正脉冲3负脉冲，6个脉冲为一组即每个脉冲间隔是11ms，正负脉冲27.5ms；

S2：在R波的作用时间上再提了10ms，R波是心脏的舒张状态，P波是心脏的收缩状态，得到输出结果。