[发明专利]一种高效宽带光栅耦合器有效
| 申请号： | 202110543354.0 | 申请日： | 2021-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113253386B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 雒翔宇;储涛 | 申请（专利权）人： | 之江实验室;浙江大学 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 奚丽萍 |
| 地址： | 310023 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 宽带 光栅 耦合器 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效宽带光栅耦合器，包括耦合器本体，其特征在于：所述耦合器本体包括倏逝波耦合区域、模式转换区域和光栅耦合区域，所述倏逝波耦合区域位于所述耦合器本体的前部，所述模式转换区域位于所述耦合器本体的中部，所述光栅耦合区域位于所述耦合器本体的后部，所述耦合器本体还包括器件层、顶部介质层和二氧化硅包层，所述顶部介质层位于器件层的上方，所述二氧化硅包层位于器件层和顶部介质层之间，位于光栅耦合区域内的器件层顶部设有多层介质膜，位于光栅耦合区域内的顶部介质层上设有光栅图形，所述光栅图形位于多层介质膜的正上方；所述器件层包括顶层器件层、二氧化硅埋氧层和衬底层，所述衬底层位于器件层的底部，所述二氧化硅埋氧层位于衬底层的上方，所述顶层器件层位于所述二氧化硅埋氧层的上方；光栅耦合区域内的顶层器件层上设有刻蚀区，所述多层介质膜位于所述刻蚀区的上方。
2.如权利要求1所述的一种高效宽带光栅耦合器，其特征在于：所述器件层的材料包括硅、铌酸锂。
3.如权利要求1所述的一种高效宽带光栅耦合器，其特征在于：所述顶部介质层的材料包括氮化硅、氮氧化硅。
4.如权利要求1所述的一种高效宽带光栅耦合器，其特征在于：所述多层介质膜的材料包括氮化硅、多晶硅、氮氧化硅。
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