[发明专利]反冲噪声的补偿

说明书

本发明涉及反冲噪声的补偿。描述了用于对反冲噪声进行补偿的方法、系统和装置。调节器可包含输入电路、偏置电路和启用电路。所述调节器可经配置以使得所述启用电路定位在所述输入电路与所述偏置电路之间。平衡电阻器可包含在所述调节器的输入与偏置晶体管中包含的所述偏置晶体管的栅极之间的路径中。所述平衡电阻器的大小可基于由所述偏置晶体管在激活事件期间汲取的电荷量。所述偏置晶体管的尺寸可基于由所述偏置晶体管在激活事件期间汲取的电荷量而修改。

交叉引用

本专利申请要求楚(Chu)等人于2020年8月26日申请的标题为“反冲噪声的补偿(COMPENSATING FOR KICKBACK NOISE)”的第17/003,163号美国专利申请的优先权，所述美国专利申请已让渡给本受让人，且所述美国专利申请明确地以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本技术领域涉及反冲噪声的补偿。

背景技术

下文大体上涉及用于存储器的一或多种系统，且更具体地说，涉及反冲噪声的补偿。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可被编程为两个支持状态中的一者，通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，可存储其中的任一者。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻性RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)、自选存储器、硫族化物存储器技术，等。存储器单元可以是易失性或非易失性的。例如FeRAM的非易失性存储器即使在无外部电源存在的情况下仍可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间。例如DRAM的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失其所存储的状态。

发明内容

描述了一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其包含一或多个组件；调节器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以至少部分地基于参考信号来生成用于所述存储器阵列的信号。所述调节器可包含：输入电路，其经配置以在输入节点处接收所述参考信号；偏置电路，其与所述输入节点耦合且经配置以至少部分地基于所述参考信号对所述调节器进行偏置；以及启用电路，其通过第一节点与所述输入电路耦合且通过第二节点与所述偏置电路耦合，所述启用电路经配置以启用所述调节器的操作，且经配置以减小所述输入节点处至少部分地基于所述调节器的所述操作被启用的噪声。

描述了另一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其包含多个存储器区段；多个调节器，其与所述多个存储器区段耦合。所述多个调节器中的调节器包含：第一晶体管，其与输入节点耦合且经配置以接收参考信号；以及第二晶体管，其与所述输入节点耦合且经配置以至少部分地基于所述参考信号来对所述调节器进行偏置。所述设备可进一步包含第三晶体管，所述第三晶体管通过第一节点与所述第一晶体管耦合且通过第二节点与所述第二晶体管耦合，所述第三晶体管经配置以至少部分地基于在所述第三晶体管的栅极处接收到启用信号而启用所述调节器的操作。