[发明专利]充电器及充电系统

权利要求书

1.一种充电器，其特征在于，包括：电压检测电路以及逻辑控制电路，其中：所述电压检测电路，与待充电设备耦接，适于检测所述待充电设备输出的第一控制信号对应的第一电压值；以及，检测所述待充电设备输出的第二控制信号对应的第二电压值；

所述逻辑控制电路，与所述电压检测电路耦接，适于在所述第一电压值处于第一电压范围内时控制所述充电器输出第一反馈信号；以及，在检测到所述第二电压值处于第二电压范围内时控制所述充电器输出第二反馈信号；以及，在所述第一电压值处于所述第一电压范围内时，对所述电压检测电路进行控制，使得所述电压检测电路输出所述第一反馈信号；在所述第二电压值处于第二电压范围内时，控制所述电压检测电路输出所述第二反馈信号；

所述第一反馈信号对应的电压小于所述第一电压值；所述第二控制信号是所述待充电设备在接收到所述第一反馈信号后发送的；

所述电压检测电路包括：压降获取单元、开关单元以及压降电阻，其中：所述压降获取单元，与所述压降电阻耦接，适于获取所述压降电阻上的压降；所述开关单元，与所述逻辑控制电路耦接，适于在所述逻辑控制电路的控制下导通，以调整所述压降电阻的阻值；所述压降电阻，与所述待充电设备耦接，适于形成压降并反馈至所述待充电设备；

所述压降获取单元包括N个判决门限均不等的比较器；任一比较器的第一输入端均输入所述压降电压，任一比较器的第二输入端均输入一一对应的判决门限，任一比较器的输出端均与所述逻辑控制电路耦接；所述逻辑控制电路，适于根据所述N个比较器输出的比较结果，对所述开关单元进行控制；

所述开关单元包括第一NMOS管以及第二NMOS管，所述压降电阻包括第一压降电阻以及第二压降电阻，其中：所述第一NMOS管，其栅极与所述逻辑控制电路耦接，其漏极与所述待充电设备耦接，其源极与所述第二NMOS管的漏极耦接；所述第一压降电阻，其第一端与所述第一NMOS管的漏极耦接，其第二端与所述第一NMOS管的源极耦接；所述第二NMOS管，其栅极与所述逻辑控制电路耦接，其源极接地；所述第二压降电阻，其第一端与所述第二NMOS管的漏极耦接，其第二端与所述第二NMOS管的源极耦接。

2.如权利要求1所述的充电器，其特征在于，所述压降获取单元包括模数转换器；所述模数转换器，其输入端与所述待充电设备耦接，其输出端与所述逻辑控制电路耦接；

所述逻辑控制电路，适于根据所述模数转换器的输出结果，对所述开关单元进行控制。

3.如权利要求1所述的充电器，其特征在于，所述电压检测电路，包括：压降获取单元以及压降电阻，其中：

所述压降获取单元，与所述压降电阻耦接，适于获取所述压降电阻上的压降；所述压降电阻，与所述待充电设备耦接，适于形成压降并反馈至所述待充电设备，所述压降电阻为可调电阻，由所述逻辑控制电路对所述压降电阻的阻值进行控制。

4.如权利要求3所述的充电器，其特征在于，所述压降获取单元包括N个判决门限均不等的比较器；任一比较器的第一输入端均输入所述压降电压，任一比较器的第二输入端均输入一一对应的判决门限，任一比较器的输出端均与所述逻辑控制电路耦接；

所述逻辑控制电路，适于根据所述N个比较器输出的比较结果，对所述压降电阻的阻值进行控制。

5.如权利要求3所述的充电器，其特征在于，所述压降获取单元包括模数转换器；所述模数转换器，其输入端与所述待充电设备耦接，其输出端与所述逻辑控制电路耦接；

所述逻辑控制电路，适于根据所述模数转换器的输出结果，对所述压降电阻的阻值进行控制。

6.如权利要求1所述的充电器，其特征在于，所述第二反馈信号的持续时长与幅度表征当前支持的充电模式。

7.如权利要求1所述的充电器，其特征在于，所述第一反馈信号的持续时长与幅度表征当前支持的充电模式。

8.如权利要求1所述的充电器，其特征在于，所述逻辑控制电路，还适于在输出所述第一反馈信号后，控制所述电压检测电路输出脉冲信号，所述脉冲信号的持续时长与幅度表征充电模式。