[发明专利]一种低辐射玻璃有效

专利信息
申请号: 202110513226.1 申请日: 2021-05-11
公开(公告)号: CN113149461B 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 谭兴刚;王波;余洪书;刘文体;曾敏俊;曾涛;陈建;何磊 申请(专利权)人: 中建材(内江)玻璃高新技术有限公司
主分类号: C03C17/36 分类号: C03C17/36
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李梦蝶
地址: 641200 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 辐射 玻璃
【说明书】:

发明公开了一种低辐射玻璃,低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层,其中,镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。本发明膜层结构相对简单,氧化物靶材使用不频繁,从而降低了玻璃成本和工艺复杂度,同时提升了产品合格率。同时,本发明的低辐射玻璃具有相对较好的性能,使得本发明的玻璃具备较强的市场竞争力。

技术领域

本发明是关于环保技术领域,特别是关于一种低辐射玻璃。

背景技术

随着资源消耗的加剧,节能环保是当前的热门话题。低辐射玻璃由于具有较低的辐射率和较高的透光率,从而受到业界关注。

现有技术CN108218253B公开了一种高透可钢化三银Low-E玻璃及其制备方法,该玻璃包括玻璃基板,玻璃基板顶面由下至上依次层叠有十六个膜层。以申请人的研究结果表明,该型玻璃结构复杂,制备成本高,在同等成本条件下,该型玻璃性能并未达到最优。

现有技术CN104742446B公开了一种高透高反高效节能单银Low-E镀膜玻璃。本发明是在自基片玻璃向外依次设置第一电介质层、第二电介质层、Ag层、保护层、第三电介质层、第四电介质层,其中第一电介质层为SiAlNx,第二电介质层为ZnAlOx,保护层为Ti,第三电介质层为ZnAlOx,第四电介质层为SiAlNx。该型玻璃虽然结构简单,但是该现有技术完全没有公开各个电介质层的具体组成,并且该现有技术没有公开具体的磁控溅射工艺,导致业界使用该型玻璃的困难。

现有技术CN104354393B公开了一种可钢化低辐射镀膜玻璃,该型玻璃基本上是由氧化物、氮氧化物为基础设计玻璃镀层。该型玻璃的靶材制备存在较大困难,如果使用反应溅射方法制备该型玻璃,那么玻璃成品性能不容易稳定。

现有技术CN104786591B公开一种低辐射镀膜玻璃,包括至少一层含有银或银合金的功能层,其特征在于,还包括至少一层AgCu合金阻挡层。申请人发现,该型玻璃阻挡层设计尚未达到最优,此外,该型玻璃制备方法复杂,不能使用同一种方法制备多个层,这样导致玻璃生产速度较慢。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低辐射玻璃,其能够克服现有技术的缺陷。

为实现上述目的,本发明提供了一种低辐射玻璃,其特征在于,低辐射玻璃包括玻璃基片以及镀膜层,其中,镀膜层自玻璃基片以上依次包括第一Si3N4层、第一SiAlN层、第一TiO2层、第一AgCu层、第二AgCu层、第一Ag层、第三AgCu层、第二TiO2层、第二SiAlN层以及第二Si3N4层。

在一优选的实施方式中,第一Si3N4层的厚度为15-18nm,其中,第一Si3N4层是由交流磁控溅射方法制备的,其中,溅射电压为50-100V,溅射功率为50-100W,氩气流量为50-100sccm,溅射靶材为Si3N4靶材。

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