[发明专利]数据读取方法、装置及数据存储设备

权利要求书

1.一种用于读取数据存储设备的NAND存储器中的数据的方法，所述数据存储设备的逻辑至物理映射表按照多级页表方式管理，所述NAND存储器存储数据以及所述多级页表的所有页表，所述方法包括：

经由所述数据存储设备的存储器控制器接收主机发送的第一数据读命令，所述第一数据读命令包括主机逻辑地址；

在所述存储器控制器处，使用所述主机逻辑地址来在所述数据存储设备的SRAM的页表中执行地址映射处理，所述SRAM的页表是在所述SRAM上电时从所述NAND存储器加载的所述多级页表的部分页表，所述部分页表包括所述多级页表中除了最后一级页表之外的剩余页表；

在所述地址映射处理中确定出与所述主机逻辑地址对应的最后一级页表的基准地址时，经由所述存储器控制器向所述NAND存储器发送第二数据读命令和第三数据读命令，所述第二数据读命令包括所述最后一级页表的基准地址，所述第三数据读命令包括所述主机逻辑地址；

在所述NAND存储器处，根据所述最后一级页表的基准地址和所述主机逻辑地址确定出物理地址，基于所确定的物理地址执行数据读取并返回给所述存储器控制器；以及

经由所述存储器控制器，将所接收的数据提供给所述主机。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述SRAM还存储所述多级页表的最后一级页表，所述方法还包括：

在所述地址映射处理中确定出与所述主机逻辑地址对应的物理地址时，经由所述存储器控制器向所述NAND存储器发送第四数据读命令，所述第四数据读命令包括所确定出的物理地址；以及

在所述NAND存储器处，基于所述第四数据读命令中的物理地址执行数据读取。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述NAND存储器包括NAND控制器、NAND高速缓存和NAND寄存器，所述NAND高速缓存用于缓存所述多级页表，所述NAND寄存器用于存储数据，

在所述NAND存储器处，根据所述最后一级页表的基准地址和所述主机逻辑地址确定出物理地址，并且基于所确定的物理地址执行数据读取包括：

经由所述NAND控制器根据所述第二数据读命令中的最后一级页表的基准地址，从所述NAND高速缓存中读取所述最后一级页表；

经由所述NAND控制器根据所述第三数据读命令中的主机逻辑地址，在所述最后一级页表中确定所述物理地址；以及

经由所述NAND控制器根据所确定的物理地址对所述NAND寄存器执行数据读取。

4.如权利要求3所述的方法，其中，所述NAND存储器具有错误检查纠正模块，所述方法还包括：

在经由所述NAND存储器根据所述第二数据读命令中的最后一级页表的基准地址读取所述最后一级页表后，经由所述错误检查纠正模块对所读取的最后一级页表进行解码。

5.如权利要求4所述的方法，其中，在所述NAND存储器处，根据所述第三数据读命令中的主机逻辑地址，在所述最后一级页表中确定所述物理地址包括：

在所述错误检查纠正模块对所读取的最后一级页表解码成功后，经由所述NAND控制器根据所述第三数据读命令中的主机逻辑地址，在所述最后一级页表中确定所述物理地址。

6.如权利要求4所述的方法，还包括：

在所述错误检查纠正模块对所读取的最后一级页表解码未成功时，经由所述NAND控制器将所述NAND寄存器置为全零模式，并将所述全零模式返回给所述存储器控制器。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据存储设备中保持所述最后一级页表的多个副本。

8.如权利要求3所述的方法，其中，所述NAND高速缓存和所述NAND寄存器位于同一SoC芯片上。

9.如权利要求1所述的方法，其中，所述多级页表包括三级页表，以及二级页表和对应的三级页表被写入所述NAND存储器的同一晶片中。