[发明专利]一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法在审
| 申请号： | 202110508319.5 | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113322008A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 蒋旭东;朱进;蒋良平 | 申请（专利权）人： | 南京卓胜自动化设备有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/18 | 分类号： | C09G1/18;B24B1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 苏虹 |
| 地址： | 210000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单晶碱 抛光 添加剂 方法 | ||
1.一种单晶碱抛光添加剂，其特征在于：按质量百分比计，包括如下组分：有机硅0.1％～10％，光亮剂0.1％～10％，氟碳表面活性剂0.05％～1％，余量为水。
2.一种单晶碱抛光液，其特征在于：包括碱溶液和权利要求1所述的单晶碱抛光添加剂。
3.根据权利要求2所述的单晶碱抛光液，其特征在于：碱溶液为2～5wt％的氢氧化钾水溶液或氢氧化钠水溶液。
4.根据权利要求2所述的单晶碱抛光液，其特征在于：单晶碱抛光添加剂与碱溶液的质量比为1～4∶100。
5.一种单晶硅片的抛光方法，其特征在于：采用权利要求2～4任一项所述的抛光液对单晶硅片进行抛光。
6.根据权利要求5所述的单晶硅片的抛光方法，其特征在于：
(1)将有机硅、光亮剂、氟碳表面活性剂加入水中，混合均匀配成单晶碱抛光添加剂；
(2)将制成的单晶碱抛光添加剂加到氢氧化钾溶液中，混合均匀配成抛光液；
(3)将单晶硅片浸入制得的抛光液中进行表面抛光。
7.根据权利要求6所述的单晶硅片的抛光方法，其特征在于：步骤(3)中，抛光温度为65～80℃，制绒时间为180～360s。
8.根据权利要求6所述的单晶硅片的抛光方法，其特征在于：所述有机硅为聚醚类有机硅，光亮剂为金属光亮剂。
9.根据权利要求6所述的单晶硅片的抛光方法，其特征在于：步骤(3)中，抛光温度为65～75℃，制绒时间为240～360s。
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