[发明专利]供应电压检测电路与使用其的电路系统在审
申请号: | 202110504830.8 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN114942346A | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 黄铭信 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R19/165 | 分类号: | G01R19/165 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 周永君;叶明川 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供应 电压 检测 电路 使用 系统 | ||
1.一种供应电压检测电路,其特征在于,所述供应电压检测电路包括:
电压检测电路,接收供应电压,并用于检测所述供应电压,以产生低压检测信号;以及
电流箝位电路,电连接所述电压检测电路;
其中在所述供应电压低于设定电平时,所述电压检测电路输出的所述低压检测信号关闭所所述电流箝位电路,且流经所述电压检测电路的晶体管电流正比于所述供应电压;以及在所述供应电压大于等于所述设定电平时,所述电压检测电路输出的所述低压检测信号开启所述电流箝位电路,且所述电流箝位电路提供固定电流以维持所述电压检测电路的运作,其中流经所述电压检测电路的晶体管电流正比于所述固定电流。
2.如权利要求1所述的供应电压检测电路,其特征在于,其中所述电压检测电路包括开关PMOS晶体管、第一电阻至第三电阻、比较器以及第一二极管电路与第二二极管电路,所述开关PMOS晶体管的源极接收所述供应电压,所述开关PMOS晶体管的栅极电连接所述比较器的输出端,所述开关PMOS晶体管的漏极电连接所述第二电阻与第三电阻的第一端,所述第二电阻与第三电阻的第二端分别电连接所述比较器的负输入端与正输入端,所述比较器的输出端输出所述低压检测信号并电连接所述电流箝位电路,以控制所述电流箝位电路的关闭与开启,所述第一二极管电路电连接所述第二电阻的第二端,所述第一电阻的第一端电连接所述第三电阻的第二端,所述第一电阻的第二端电连接所述第二二极管电路,以及所述开关PMOS晶体管的漏极还电连接所述电流箝位电路的一端,以在所述电流箝位电路被开启时,接收正比于所述固定电流的电流。
3.如权利要求1所述的供应电压检测电路,其特征在于,其中所述电流箝位电路包括第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管与电流源,所述第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管的源极接收所述供应电压,所述第一PMOS晶体管的栅极电连接所述第二PMOS晶体管的栅极与漏极,所述第一PMOS晶体管的漏极电连接所述电压检测电路,以在所述电流箝位电路被开启时,提供正比于所述固定电流的电流,所述第一NMOS晶体管的栅极电连接所述电压检测电路,以接收所述低压检测信号,所述第一NMOS晶体管的漏极电连接所述第一PMOS晶体管与第二PMOS晶体管的漏极,以及所述第一NMOS晶体管的源极电连接所述电流源,以接收所述电流源提供的所述固定电流。
4.如权利要求2所述的供应电压检测电路,其特征在于,其中所述第一二极管电路与第二二极管电路的每一者由一个或多个BJT晶体管组成。
5.如权利要求2所述的供应电压检测电路,其特征在于,其中所述电压检测电路更包括第四电阻与修整电阻,所述修整电阻的第一端电连接所述开关PMOS晶体管的漏极,所述修整电阻的第二端电连接所述第四电阻的第一端,以及所述第四电阻的第二端电连接所述第二电阻与第三电阻的第一端。
6.如权利要求5所述的供应电压检测电路,其特征在于,其中所述第四电阻与所述修整电阻为可变电阻,并分别根据两个控制信号而改变其电阻值。
7.一种供应电压检测电路,其特征在于,所述供应电压检测电路包括:
电压检测电路;
可调电压产生电路,电连接所述电压检测电路,接收供应电压,并产生用于偏压所述电压检测电路的偏压电压;
其中所述电压检测电路接收所述偏压电压,在所述供应电压低于设定电平时,所述电压检测电路输出的低压检测信号为逻辑低准位;以及在所述供应电压大于等于所述设定电平时,所述电压检测电路输出的所述低压检测信号为逻辑高准位。
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