[发明专利]一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器

权利要求书

1.一种基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述光探测器包括斜切基片、横向热电元件和金属电极；所述横向热电元件是采用脉冲激光沉积技术在所述斜切基片上生长的c轴倾斜的硒化铅薄膜。

2.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述硒化铅薄膜的厚度为30～350 nm。

3.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述硒化铅薄膜c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向夹角α为：0°α15°，且该角度与所述斜切基片的斜切角度相同。

4.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述斜切基片为斜切c轴取向的单晶基片，单晶基片的斜切角度θ为：0°θ15°，所述单晶基片为铝酸镧、钛酸锶、铝酸锶钽镧、氧化镁或蓝宝石基片。

5.根据权利要求1所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器，其特征在于，所述金属电极与用于输出电压信号的引线相连，所述引线连接信号采集和处理装置。

6.一种权利要求1~5任一所述的基于硒化铅薄膜的自驱动紫外光探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（a）将预先制备好的硒化铅靶材安放在脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；

（b）将清洗干净的c轴斜切单晶基片放置于脉冲激光沉积设备的沉积室中，备用；

（c）用激光轰击硒化铅靶材，在c轴斜切单晶基片上生长一层厚度为30～350 nm的硒化铅薄膜材料；所制备的硒化铅薄膜c轴倾斜方向与硒化铅薄膜表面法线方向的夹角与所述c轴斜切单晶基片的斜切角度相同；

（d）采用蒸镀法、磁控溅射法或人工压铟法在硒化铅薄膜表面制作金属电极，并与引线接通用于传输电压信号。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（c）中，激光能量密度为1.2~1.8J/cm²，激光频率为3~7 Hz，靶材与基片之间的距离为4.0~5.0 cm，薄膜的沉积温度为280~320℃，氩气环境下分压为0.08~0.12 Pa。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，在所述硒化铅薄膜表面制备两个对称的金属电极，所述金属电极为金、银、铂或铟电极，金属电极的直径为0.8~1.2mm，两个金属电极的间距为7~9 mm。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤（d）中，所述引线为Au、Ag或Cu漆包线，所述引线的直径d为：0 mmd0.2 mm。