[发明专利]一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔

权利要求书

1.一种增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，包括相互平行的上金属板(2)与下金属板(3)，其特征在于：

定义位于上金属板(2)与下金属板(3)之间、且位于辐照腔内部的空间为辐照腔工作空间；

定义从辐照腔激励源到辐照腔工作空间的水平方向为长度方向，即+x方向，上金属板(2)与下金属板(3)的相对方向为高度方向，即±z方向，与所述长度方向和高度方向均垂直的方向为宽度方向，即±y方向；定义“在长度方向上、效应物靠近激励源”的一侧为效应物左侧，对应的远离激励源的一侧为效应物右侧；

还包括左侧绝缘介质基底(7)与右侧绝缘介质基底(10)；

所述左侧绝缘介质基底(7)为放置在辐照腔工作空间内、与上金属板(2)及下金属板(3)均正交且位于效应物左侧的绝缘介质平板；

设辐照腔工作空间中位于高度中心上方的z0的区域为上工作空间，下方的z0的区域为下工作空间；

定义所述左侧绝缘介质基底(7)面向激励源一侧的表面为左侧绝缘介质基底(7)的左表面，在该左表面上开设若干个长方体或者正方体形状的第一凹槽；其中一部分第一凹槽均布在左侧绝缘介质基底(7)的z0的上半部分，即位于上工作空间；另一部分第一凹槽均布在左侧绝缘介质基底(7)的z0的下半部分，即位于下工作空间；

设第一凹槽内与上金属板(2)及下金属板(3)平行的上壁面为槽顶，下壁面为槽底；

位于上工作空间内的第一凹槽槽顶及位于下工作空间内的第一凹槽槽底上均贴有长方体形状的金属条(8)；长方体形状的金属条(8)长度方向的尺寸及宽度方向的尺寸分别与第一凹槽长度方向及宽度方向的尺寸相等，高度方向的尺寸小于第一凹槽高度方向的尺寸；

所述右侧绝缘介质基底(10)为放置在辐照腔工作空间内、与上金属板(2)及下金属板(3)均正交且位于效应物右侧的绝缘介质平板；

定义所述右侧绝缘介质基底(10)面向激励源一侧的表面为右侧绝缘介质基底(10)的左表面，在该左表面上开设若干个圆柱体形状的第二凹槽；其中一部分第二凹槽均布于右侧绝缘介质基底(10)的z0的上半部分，即位于上工作空间；另一部分第二凹槽均布于右侧绝缘介质基底(10)的z0的下半部分，即位于下工作空间；

所述第二凹槽内填充有与第二凹槽形状及尺寸相同的金属圆柱体(11)。

2.根据权利要求1所述的增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，其特征在于：所述左侧绝缘介质基底(7)的宽度方向尺寸与上金属板(2)及下金属板(3)的宽度相同，高度方向尺寸与上金属板(2)和下金属板(3)之间的间距相同；

所述右侧绝缘介质基底(10)的宽度方向尺寸与上金属板(2)及下金属板(3)的宽度相同，高度方向尺寸与上金属板(2)和下金属板(3)之间的间距相同。

3.根据权利要求2所述的增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，其特征在于：刻槽后的左侧绝缘介质基底(7)长度方向最大处的尺寸为20～22mm，最小处的尺寸为8～10mm。

4.根据权利要求3所述的增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，其特征在于：刻槽后的右侧绝缘介质基底(10)长度方向最大处的尺寸为28～32mm，最小处的尺寸为20mm～25mm。

5.根据权利要求4所述的增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，其特征在于：所述左侧绝缘介质基底(7)及右侧绝缘介质基底(10)的中心均位于x轴上；所述效应物z方向中心尽量放置在所述左、右两侧绝缘介质基底中心的连线上，即x轴上；

定义左侧绝缘介质基底(7)面向效应物一侧的表面为左侧绝缘介质基底(7)的右表面，该右表面与效应物之间的最小x向间距为15～20mm；右侧绝缘介质基底(10)的左表面与效应物之间的最小x向间距为15～20mm。

6.根据权利要求5所述的增强大型效应物内场强的基于介质基底结构的辐照腔，其特征在于：所述长方体形状的金属条(8)高度方向的尺寸为3～5mm。