[发明专利]同步整流控制器及适配器在审

专利信息
申请号: 202110476405.2 申请日: 2021-04-29
公开(公告)号: CN113179033A 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 张君志;余丹 申请(专利权)人: 基合半导体(宁波)有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M1/32
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 315499 浙江省宁*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 同步 整流 控制器 适配器
【说明书】:

本申请实施例涉及控制技术领域,公开了一种同步整流控制器及适配器。本申请的同步整流控制器由多个芯片合封形成,同步整流控制器包括:限压模块、限流模块、第一控制模块;限压模块与限流模块设置在不同的芯片上;限压模块与第一控制模块设置在不同的芯片上;限压模块的第一端连接外接供电电路,限压模块的第二端连接限流模块的第一端;限流模块的第二端连接外接电源的第一端,外接电源的第二端接地;第一控制模块的第一端连接限压模块的第二端,第一控制模块的第二端连接外接开关管的控制端;外接开关管的第一端连接外接供电电路,外接开关管的第二端接地。本申请可在确保原本同步整流控制器的性能的基础之上,降低同步整流控制器的制作成本。

技术领域

本申请实施例涉及控制技术领域,特别涉及同步整流控制器及适配器。

背景技术

近年来,随着手机、笔记本电脑和平板电脑等各种移动智能设备技术的发展,人们对适配器的效率、功率、体积等要求越来越高,实际应用中,已经将同步整流技术运用到适配器中,不仅实现了提高适配器的效率,还能够实现高功率密度,真正达到小型化。

目前在适配器中运用同步整流技术体现在同步整流控制器中,同步整流控制器包括有限压模块、限流模块、控制模块;限压模块、限流模块、控制模块均设置在一个芯片中。

然而,上述的限压模块、限流模块、控制模块分布在同一芯片的不同层中,导致该芯片的结构的层较多,芯片的制作工艺成本要求较高,增加了整个芯片的制作成本;且芯片的层的部分面积没有合理地使用导致芯片层面积的浪费。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种同步整流控制器及适配器,使得同步整流控制器的制作成本降低。

为解决上述技术问题,本申请的实施例提供了一种同步整流控制器,所述同步整流控制器由多个芯片合封形成,所述同步整流控制器包括:限压模块、限流模块、第一控制模块;所述限压模块与所述限流模块设置在不同的芯片上;所述限压模块与所述第一控制模块设置在不同的芯片上;所述限压模块的第一端连接外接供电电路,所述限压模块的第二端连接所述限流模块的第一端;所述限流模块的第二端连接外接电源的第一端,所述外接电源的第二端接地;所述第一控制模块的第一端连接所述限压模块的第二端,所述第一控制模块的第二端连接外接开关管的控制端;所述外接开关管的第一端连接所述外接供电电路,所述外接开关管的第二端接地;所述第一控制模块用于在所述限压模块第二端的电压为正压时控制所述外接开关管关断,在所述限压模块第二端的电压为负压时控制所述外接开关管导通。

本申请的实施例还提供了一种适配器,包括:上述的同步整流控制器。

本申请实施例通过将限压模块与限流模块设置在不同的芯片上,限压模块与第一控制模块设置在不同的芯片上,使得限压模块分立设置在一个独立芯片中,从而将集合多模块的芯片分立成多个芯片,由于限压模块与其他模块设置在同一芯片的不同层中,将限压模块分立设置,可以减少每个分立的芯片的层数量,而芯片的工艺难度随层数量的增加而大幅度增加,也就是说,集合所有模块的芯片的层的工艺成本会比分立的芯片的工艺成本高很多,因此,本申请采用的分立芯片的工艺成本相对于集合所有模块的芯片来说会大幅度降低,即使多个分立的芯片的工艺成本的总和也远远低于相关技术中集合所有模块的芯片的工艺成本;且本实施例也可以解决由于将限压模块与其他模块设置在同一芯片而造成的芯片层面积浪费的问题,从而降低了芯片的材料成本;因此,本实施例可以在确保原本同步整流控制器的性能的基础之上,降低同步整流控制器的制作成本。

另外,所述同步整流控制器还包括第二控制模块、电子开关,所述电子开关设置在所述限流模块的第二端与所述外接电源之间,所述第二控制模块的第一端连接所述外接电源,所述第二控制模块的第二端连接所述电子开关的控制端;

所述第二控制模块用于在所述外接电源的输出电压小于第一预设电压值时,控制所述电子开关关断,在所述外接电源的输出电压大于第二预设电压值时,控制所述电子开关导通;所述第一预设电压值小于所述第二预设电压值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于基合半导体(宁波)有限公司,未经基合半导体(宁波)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110476405.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top