[发明专利]混合腔体、滤波器和通信基站

说明书

本发明涉及一种混合腔体、滤波器和通信基站，包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面和侧面金属化，下表面设有金属化的谐振盘；所述金属腔上设有空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。本发明结构紧凑，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合，带外抑制性能更优，强度更高。

技术领域

本发明涉及一种通信设备，特别是涉及滤波器耦合技术。

背景技术

随着5G通信系统的建设，其设备对集成度要求越来越高，微波滤波器的小型化，轻量化是未来的应用趋势，介质波导具有高Q值，温漂小等优点，是一种很好的滤波器小型化解决方案。

现有的介质波导滤波器通常是单层结构，其实现容性交叉耦合结构采用频变结构会在通带外引入谐振峰，采用飞杆衍生结构加工会增加产品的零部件和工序，且现有的单层滤波器不易实现不对称传输零点。此外，单层结构还具有结构不紧凑，形式单一等的缺点。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提出一种能简单实现容性和感性耦合，其寄生谐波远离基模，可以更灵活实现各种交叉耦合而且结构紧凑的混合腔体结构、滤波器和通信基站。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案为：

提供一种混合腔体，包括叠置固定在一起的介质块和金属腔，所述介质块的上表面以及侧面覆盖金属化层，下表面设有至少一个金属化的谐振盘；所述金属腔上设有至少空腔，该空腔内设有金属谐振杆，所述谐振杆与所述谐振盘固定连接，所述介质块和金属腔之间形成金属介质混合谐振腔。

进一步地：

所述谐振盘中设有凹孔，该凹孔表面覆盖金属化层；相对应地，所述谐振杆高出金属腔的表面，该谐振杆高出金属腔表面的部分嵌入所述谐振盘的凹孔内。

所述介质块的下表面设有至少两个金属化的谐振盘；所述金属腔上表面相对应地设有至少两个空腔，所述介质块和金属腔之间形成至少两个金属介质混合谐振腔，相邻谐振腔之间形成感性耦合或容性耦合。

所述金属腔上的相邻空腔之间开有窗口，相邻所述谐振腔之间通过所述窗口形成感性耦合。

所述介质块下表面的相邻谐振盘之间设置有用于调节相邻谐振腔之间的容性耦合量的耦合盘。

所述耦合盘与谐振盘相连。

所述介质块的上表面对应所述谐振杆或凹孔的位置设有用于调节所对应的谐振腔频率的调谐孔。

所述介质块上的相邻谐振盘之间设有用于调节相应相邻谐振腔之间的耦合量的耦合槽。

所述耦合槽贯穿所述介质块。

所述介质块和金属腔之间至少包括两行、至少两列谐振腔，位于第一行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，位于第二行的相邻两个谐振腔之间形成感性耦合，一列两个谐振腔之间设有容性耦合结构，与该列谐振腔相邻的另一列两个谐振腔之间设有感性耦合结构，两行的相邻两列谐振腔之间形成四腔交叉耦合结构。

所述介质块和金属腔之间包括六个谐振腔，分两行排列，形成三列谐振腔，所述滤波器第一行的第一谐振腔和第二谐振腔之间，第二行的第一谐振腔和第二谐振腔之间以及第一行的第一谐振腔与第二行的第一谐振腔之间通过金属腔上的相邻空腔之间的窗口形成感性耦合，第一行的第二谐振腔与第二行的第二谐振腔之间通过两者之间的耦合盘形成的电容形成容性耦合；所述第一行的第一谐振腔和第二谐振腔，与第二行的第一谐振腔和第二谐振腔四者之间形成四腔交叉耦合结构；第一行的第三谐振腔和第二谐振腔之间，第二行的第三谐振腔和第二谐振腔之间以及第一行的第三谐振腔与第二行的第三谐振腔之间通过金属腔上的相邻空腔之间的窗口形成感性耦合，第一行的第二谐振腔与第二行的第二谐振腔之间形成容性耦合，第一行的第二谐振腔和第三谐振腔，与第二行的第二谐振腔和第三谐振腔四者之间形成另一四腔交叉耦合结构。