[发明专利]存储单元及存储单元的操作方法

权利要求书

1.一种存储单元，包括：

第一电极；

第二电极；

可变电阻层，其位于所述第一电极与所述第二电极之间；和

铁电层，其位于所述可变电阻层与所述第二电极之间，

其中，在编程操作期间，所述可变电阻层保持在非晶态。

2.根据权利要求1所述的存储单元，其中，在正编程操作之后，所述存储单元具有第一阈值电压，并且在负编程操作之后，所述存储单元具有第二阈值电压；以及

其中，所述第二阈值电压大于所述第一阈值电压。

3.根据权利要求2所述的存储单元，其中，读取电压在所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间。

4.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述可变电阻层在设置操作之后具有低电阻非晶态，并且所述可变电阻层在复位操作之后具有高电阻非晶态。

5.根据权利要求1所述的存储单元，其中，所述可变电阻层包括硫属化合物。

6.根据权利要求1所述的存储单元，其中，在正编程操作期间，正编程电压被施加到所述第一电极，并且导致所述铁电层的极化。

7.根据权利要求1所述的存储单元，其中，在负编程操作期间，负编程电压被施加到所述第一电极，并且导致所述铁电层的极化。

8.一种操作存储单元的方法，所述存储单元包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻层以及位于所述可变电阻层与所述第二电极之间的铁电层，所述方法包括：

向所述第一电极施加正编程电压，其中，所述正编程电压导致所述铁电层的极化；以及

向所述存储单元施加读取电压，该读取电压不会使所述铁电层极化。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在施加了所述正编程电压之后，所述可变电阻层保持在非晶态。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述可变电阻层包括硫属化合物。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述正编程电压使所述可变电阻层的电阻减小。

12.根据权利要求8所述的方法，进一步包括

向所述第一电极施加负编程电压，其中，所述负编程电压导致所述铁电层的极化。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述负编程电压使所述可变电阻层的电阻增大。

14.一种操作存储单元的方法，所述存储单元包括第一电极、第二电极、位于所述第一电极与所述第二电极之间的开关层以及位于所述开关层与所述第二电极之间的铁电层，所述方法包括：

向所述第一电极施加正编程电压，其中，所述正编程电压导致所述铁电层的极化；以及

向所述存储单元施加读取电压，该读取电压不会使所述铁电层极化。

15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括

向所述第一电极施加负编程电压，其中，所述负编程电压导致所述铁电层的极化。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述开关层包括硫属化合物层，并且在施加了所述正编程电压之后，所述开关层保持在非晶态。