[发明专利]基于单电源的多电压域产生电路

说明书

本申请公开了一种基于单电源的多电压域产生电路，包括直流转换模块、次级转换模块、带隙基准电路模块、第一低压差线性稳压模块和第二低压差线性稳压模块；直流转换模块用于将外部电源的电压转换为第一电压；带隙基准电路模块用于基于第一电压产生独立于外部电源的基准电压；第一低压差线性稳压模块用于基于第一电压以及基准电压产生第二电压；次级转换模块用于基于外部输入的控制位产生受控于控制位的第三电压；第二低压差线性稳压模块用于基于第三电压以及基准电压产生受控于控制位的第四电压。本申请能够在只有一个外部电源供电的情况下产生多个不同的低压电源，从而能够分别为不同电压需求的电路供电。

技术领域

本申请涉及电路技术领域，具体涉及一种基于单电源的多电压域产生电路。

背景技术

随着集成电路工艺的不断发展，电路的集成规模越来越大，数模混合电路的设计成为主流趋势，在一个芯片中常常既包含小规则线宽低压的数字部分，也包含大线宽的常压模拟电路，甚至同时包含高压大电流的功率器件。这就使得在一个芯片中要同时考虑三个不同电压域的供电情况，这给芯片电路设计造成很大的难度。如何在一个外部电源供电的情况下实现在一个电路内部产生多个不同的电压源是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种基于单电源的多电压域产生电路。为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种基于单电源的多电压域产生电路，包括直流转换模块、次级转换模块、带隙基准电路模块、比较模块、第一低压差线性稳压模块和第二低压差线性稳压模块；

所述直流转换模块用于将外部电源的电压转换为第一电压；所述第一电压低于所述外部电源的电压；

所述带隙基准电路模块用于基于所述第一电压产生独立于所述外部电源的基准电压；

第一低压差线性稳压模块用于基于所述第一电压以及所述基准电压产生第二电压；

所述次级转换模块用于基于外部输入的控制位产生受控于所述控制位的第三电压；

所述第二低压差线性稳压模块用于基于所述第三电压以及所述基准电压产生受控于所述控制位的第四电压。

进一步地，所述基于单电源的多电压域产生电路还包括稳压电路模块，所述稳定电路模块用于保持所述第一电压处于稳定状态。

进一步地，所述稳压电路模块包括电阻和稳压二极管，所述电阻与所述稳压二极管的负极相连接。

进一步地，所述直流转换模块包括第一金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）、第二MOSFET、第四MOSFET、第五MOSFET、第一三极管和第二三极管；所述第一MOSFET的栅极与所述第二MOSFET的栅极相连接，所述第二MOSFET的源极与所述第四MOSFET的漏极相连接，所述第一三极管的基极与所述第二三极管的基极相连接，所述第四MOSFET的源极与所述第一三极管的集电极相连接，所述第五MOSFET的源极与所述第二三极管的集电极相连接；所述第四MOSFET的栅极以及所述第五MOSFET的栅极分别与所述稳压二极管的负极相连接。

进一步地，所述次级转换模块包括第三MOSFET、第六MOSFET、第七MOSFET和一个电阻；所述第三MOSFET的源极与所述电阻相连接；所述第三MOSFET的漏极与所述第一MOSFET的源极相连接；所述第六MOSFET的漏极与所述第五MOSFET的源极相连接，所述第六MOSFET的源极与所述第七MOSFET的漏极相连接。