[发明专利]一种电压自跟随防反灌电路有效
| 申请号： | 202110434523.7 | 申请日： | 2021-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN113296567B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 黎毅辉;范律;肖林松;李俊;汤可;王锋;陈岗 | 申请（专利权）人： | 威胜信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 长沙楚为知识产权代理事务所(普通合伙) 43217 | 代理人： | 李大为 |
| 地址： | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 跟随 防反 电路 | ||
1.一种电压自跟随防反灌电路，其特征在于，包括N个二极管、一个PMOS管、一个电阻；所述电压自跟随防反灌电路的电压输入端连接所述N个二极管的阳极以及所述PMOS管的漏极，所述电压自跟随防反灌电路的电压输出端连接所述N个二极管的阴极以及所述PMOS管的源极，所述PMOS管的栅极连接外部控制信号输入端，所述外部控制信号输入端能够输出高低电平控制PMOS管的开断；所述电阻一端连接所述PMOS管源极，另一端连接所述PMOS管的栅极；所述N个二极管的数量N取大于f的整数，其中I1max取所述电压自跟随防反灌电路电压输入端所连接的恒流DC/DC芯片最大输出电流，I3max取所述PMOS管充电瞬间理论最大承受电流，I2max取所述二极管的前向导通电流。
2.根据权利要求1所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，还包括控制电路，所述控制电路包括一个可控开关元件、一个电阻；所述可控开关元件的控制端通过所述电阻接外部控制信号，所述可控开关元件的开关一端连接所述PMOS管的栅极，另一端接地。
3.根据权利要求2所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述二极管是漏电流为微安级的二极管。
4.根据权利要求3所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述漏电流为微安级的二极管为ES1D二极管。
5.根据权利要求1所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述N个二极管的数量N取大于f’的整数，f’取值取为所述f取值的2倍。
6.根据权利要求2所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述可控开关元件为晶体管，所述晶体管的基极通过所述控制电路中的电阻接外部控制信号，所述晶体管的集电极连接所述PMOS管的栅极，所述晶体管的发射极接地。
7.根据权利要求2所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述可控开关元件为MOS管，所述MOS管的栅极通过所述控制电路中的电阻接外部控制信号，所述MOS管的漏极连接所述PMOS管的栅极，所述MOS管的源极接地。
8.根据权利要求1-7任一项所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述电压自跟随防反灌电路的电压输出端通过滤波电容接地。
9.根据权利要求1-7任一项所述电压自跟随防反灌电路，其特征在于，所述PMOS管是P沟道功率MOS管。
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