[发明专利]一种在产线测试中检测RAM的方法及系统有效

专利信息
申请号: 202110434148.6 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113140251B 公开(公告)日: 2023-02-10
发明(设计)人: 刘宏涛;梁辉 申请(专利权)人: 深圳市研强物联技术有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10;G11C29/48;G11C29/50;G11C29/56
代理公司: 深圳市海顺达知识产权代理有限公司 44831 代理人: 蔡星
地址: 518000 广东省深圳市南山区西丽街道西*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 测试 检测 ram 方法 系统
【说明书】:

发明提供一种在产线测试中检测RAM的方法,包括:数据下载站设定数据包并与检测设备建立连接;检测设备下载数据包前,随机从RAM中抽出单个数据存储单元,进行读写运算,检测RAM信息;检测设备下载数据包,并检测下载过程中RAM信息;在数据包下载后开机检查,通过信息摘要算法检测RAM在运算过程中信息;在老化站最大负载运行RAM,并通过信息摘要法运算以及对RAM内部剩余空间不断的运算,检测RAM在运算过程中信息;恢复出厂设置,重启检测RAM信息;显示检测结果。本发明通过将多种检测手段结合反复检测,在不增加检测周期的情况下能够最大概率的拦截不良RAM,解决了单次测试往往发现不了RAM故障的问题。

技术领域

本发明涉及嵌入式系统检测领域,具体涉及一种在产线测试中检测RAM的方法及系统。

背景技术

随着微处理器技术的发展,嵌入式处理器越来越多地应用于国民经济的各个领域。在各种嵌入式处理器中,RAM(Random Access Memory,随机存取存储器 )作为数据和程序的存储单元是一个重要的组成部分,RAM的正常与否,直接关系到嵌入式处理器能否正常工作,为了保证数据处理的正确性以及程序的正常运行,需要在嵌入式处理器工作之前对RAM进行检测。

以LPDDR3为例,内存芯片颗粒的生产,虽然经过层层检测,但总会有一定比例的不良品流出,特别是不同厂家的封测能力不同,不良的比例也会有很大差异。用了这种物料的产品,在生产过程中,产线也会设置很多工站检测其功能、性能,以保证产品出厂后的品质。检测站一般包括基本功能、功耗、射频性能、音频性能、拍照性能、防水、老化等主要站位,针对RAM器件的测试主要在老化站进行。老化站实际就是让产品在一定环境条件下,尽可能让产品主控芯片以最大负荷循环工作一定时间,以加速产品的使用强度,提前暴露问题,以期在生产线上拦截下不良品。但是老化一般是以固定的模式循环工作,这种模式不能覆盖RAM器件的最大寻址范围,导致检测不够全面,不能彻底的暴露问题。

而RAM的缺陷往往有个特点,不是稳定复现问题,所以单次测试往往发现不了,因此,需要一种尽可能的提高在产线测试中检测出不良RAM的方法。

发明内容

为解决现有技术中的问题,本发明提供一种在产线测试中检测RAM的方法及系统,通过将多种检测手段结合反复检测,在不增加检测周期的情况下能够最大概率的拦截不良RAM,解决了单次测试往往发现不了RAM故障的问题。

本发明的一种在产线测试中检测RAM的方法包括如下步骤:

步骤1:数据下载站设定数据包并与装有待测RAM的检测设备建立连接;

步骤2:检测设备随机从RAM所有区域中抽出一个或几个数据存储单元,进行读写运算,检测RAM是否存在故障;

步骤3:当检测设备随机从RAM所有区域中抽出一个或几个数据存储单元进行读写运算,未检测到RAM存在故障时,检测设备开始下载数据包,并检测下载过程中RAM是否有出现错误,数据下载站设定数据包为RAM运行所能接受的最大值;

步骤4:当检测设备检测到下载过程中RAM没有出现错误时,检测设备在数据包下载完成后进行开机检查,通过信息摘要算法检测RAM在运算过程中是否有出现错误;

步骤5:当检测设备在数据包下载完成后进行开机检查,通过信息摘要算法未检测到RAM在运算过程中有出现错误时,检测设备在老化站对RAM进行老化测试,长时间最大负载运行RAM,并通过信息摘要算法运算以及对RAM内部剩余空间不断的运算,检测RAM在运算使用过程中是否有出现错误;

步骤6:当检测设备在老化站对RAM进行老化测试,通过信息摘要算法运算以及对RAM内部剩余空间不断的运算,未检测到RAM在运算使用过程中有出现错误时,检测设备在老化测试完成后,恢复出厂设置,重启检测RAM是否存在故障;

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