[发明专利]光学邻近校正方法和包括该方法的制造掩模的方法

说明书

本公开提供了光学邻近校正方法和制造掩模的方法。该光学邻近校正方法包括：从图案掩模提取第一图案；对第一图案的至少一部分执行光刻，以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；以及在其上形成有第一第一图案的图案掩模上执行校正。

技术领域

本公开涉及一种光学邻近校正方法以及包括该光学邻近校正方法的制造掩模的方法。

背景技术

通常，光刻技术是一种基本技术，其通过使用光在晶片(例如半导体衬底)上形成半导体图案来导致半导体器件的高集成。例如，在光刻中，光致抗蚀剂，即具有根据照射在其上的曝光光(例如紫外线、电子束或X射线)而变化的溶解度的材料，可以在例如半导体膜、绝缘膜、导电膜等的将形成图案的位置处被涂覆在半导体衬底上，光致抗蚀剂的预定部分可以通过使用光掩模而暴露于光，于是光致抗蚀剂的曝光部分(其表现出响应于显影液的高溶解性)可以被去除，从而形成光致抗蚀剂图案。在半导体衬底上的例如半导体膜、绝缘膜、导电膜等的通过光致抗蚀剂图案暴露的部分可以通过蚀刻工艺被去除，从而在半导体衬底上形成期望的图案，例如半导体图案。

例如，电子束装置可以被用作使用光掩模来形成光致抗蚀剂图案的曝光装置。然而，从电子束装置发射的电子束可能在光致抗蚀剂及其下面的层中散射，从而影响光致抗蚀剂图案和所得的半导体图案的临界尺寸(CD)和保真度。也就是，电子束曝光方法是通过光掩模直接曝光实际光致抗蚀剂的方法，而不是例如通过使用掩模版作为介质的步进机来进行曝光的方法。

例如，在电子束曝光方法中，将要被曝光的区域被划分为小像素，与图案数据相对应的像素可以根据像素尺寸由电子束填充。然而，随着半导体器件的集成度增加，在例如微处理器的逻辑器件中常见的不规则排列的图案中，聚焦深度和分辨率两者的改善效果都可能降低。

例如，当形成具有接近分辨率极限的数值的图案时，可能发生光学接近效应，即，实际形成在半导体衬底上的图案与设计图案不同。由于设计图案与实际形成的图案之间的差异，例如，与来自设计所期望的性能相比，制造的性能可能显著劣化。因此，响应于在光刻工艺中在分辨率极限处出现的图案差异(即，失真现象)，执行光学接近校正(OPC)，以便调节(例如补偿)该差异，从而按照设计适当地完成在晶片上的光掩模的精细图案。

发明内容

根据实施方式的一方面，提供了一种光学邻近校正方法，该方法包括：从图案掩模提取第一图案；对第一图案的至少一部分执行光刻以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；以及对其上形成有第一第一图案的图案掩模执行校正。

根据实施方式的一方面，提供一种光学邻近校正方法，该方法包括：从图案掩模中提取第一图案和第二图案；对第一图案的至少一部分执行光刻以形成第一第一图案；对第二图案的至少一部分执行光刻以形成第二第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；在形成第二图案的位置处形成第二第一图案；对其上形成有第一第一图案和第二第一图案的图案掩模执行校正。

根据实施方式的一方面，提供了一种制造掩模的方法，该方法包括：制造具有所设计的布局的图案掩模；对图案掩模中的第一图案的至少一部分执行光刻以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；对其上形成有第一第一图案的图案掩模执行校正，以校正光学邻近效应；以及对已经校正了光学邻近效应的图案掩膜执行掩模流片(MTO)。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征对于本领域技术人员将变得显而易见，其中：

图1示出了在执行光刻之前的包括对象图案的多个图案。

图2示出了已对其执行了光刻的包括对象图案的多个图案。

图3示出了在执行光刻之前，根据一些实施方式的根据光学邻近校正方法的提取一些区域的图案。

图4示出根据一些实施方式的在对根据光学邻近校正方法提取的一些图案执行光刻之后获得的图案。