[发明专利]一种分析单壁碳纳米管高压形变及恢复过程的方法

权利要求书

1.一种分析单壁碳纳米管高压形变及恢复过程的方法，其特征在于：将三组单壁碳纳米管分别置入用以调节压力和温度的金刚石对顶砧中，第一组控制相同的温度和单壁碳纳米管直径，调节不同的压力作为对照；第二组控制相同的温度和压力，选择不同直径的单壁碳纳米管作为对照；第三组控制相同单壁碳纳米管直径和压力，调节不同的温度作为对照；各组碳纳米管在受到金刚石对顶砧的高压后会缓慢恢复，过程中入射激光经过增强自发辐射抑制滤波器的过滤后发射至单壁碳纳米管形成拉曼散射，散射光随后经偏振片到达超窄陷波滤波器，超窄陷波滤波器过滤散射光中的瑞利散射，保留超低频区域信号通过；超低频区域信号经过光栅后进入电子倍增CCD，电子倍增CCD快速地探测信号并在很大程度上增强信号噪音比；通过分析拉曼光谱的D模，第一组用以得出单壁碳纳米管在不同压力下的截面形变程度，第二组用以得出不同直径的单壁碳纳米管对于形变恢复时间的影响，第三组用以得出不同温度对于单壁碳纳米管受压形变恢复过程的影响；将Arrhenius方程用于单壁碳纳米管的形变应用分析，得到单壁碳纳米管的形变恢复的能量阈值。

2.根据权利要求1所述的一种分析单壁碳纳米管高压形变及恢复过程的方法，其特征在于：所述入射激光为532mm的单频激光。

3.根据权利要求1或2所述的一种分析单壁碳纳米管高压形变及恢复过程的方法，其特征在于：所述超窄陷波滤波器是Ondax超窄陷波滤波器；所述超窄陷波滤波器包括两片针对532mm入射激光的体布拉格光栅。

4.根据权利要求1所述的一种分析单壁碳纳米管高压形变及恢复过程的方法，其特征在于：所述Arrhenius方程为k是恢复速率，A是pre-exponential factor，Ea为活化能，kb是玻尔兹曼常数，T是温度。