[发明专利]一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法

说明书

本发明公开一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法，主要包括五级化成处理、一次水洗、中处理、一次热处理、一次修补化成、二次水洗、耐水合处理、二次热处理、二次修补化成和烘干处理过程，中处理步骤是将经过一次水洗后的铝箔放入0.5~5 wt%的氨水溶液中，在30~50℃下浸渍处理0.5‑3 min实现；一次热处理温度为400~450℃，处理时间4~6 min。中处理过程可消除化成箔表面的水合膜，使得有机高分子能顺利进入电容器，进而提升器件的容量引出率；且水合膜较结晶型氧化膜的间隙大，会导致铝电解电容器的漏电流大，经过中处理步骤消除了水合膜后即可很好的解决该问题，进而有效降低化成箔的漏电流。

技术领域

本发明属于电子材料加工领域，具体涉及一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法。

背景技术

化成箔是由特制的高纯铝箔经过电化学或化学腐蚀后扩大表面积，再经过电化成作用在表面形成一层氧化膜（三氧化二铝）后的产物。阳极化成箔作为铝电解电容器中的核心材料，对电容器的各种特性起决定性作用。现有的低压阳极箔化成工艺一般是在硼酸和硼砂的溶液或己二酸及其盐水溶液中进行三级化成、磷酸处理、四级化成、高温热处理，五级化成，最后磷酸二氢铵溶液中浸渍处理，采用这种化成工艺制备得到的低压电极箔，制成铝电解电容器后，漏电流较大，导致耐纹波电流性能较差，电容器使用寿命较短。

相关领域技术人员针对铝电解电容器成品漏电流大的问题在低压化成箔制备工艺上进行了相关的改进，如中国专利CN 102800483 B公开一种降低低压化成箔漏电流的化成处理方法，其是将铝箔置于0.5~2% 的己二酸盐水溶液中， 在40-60℃条件下浸渍3分钟；取出置于3~10%的己二酸盐的水溶液中， 在65-80℃、20 mA/(cm)²、48 V的条件下，化成20分钟；取出水洗；在1~8%的磷酸水溶液中温度为50~80℃进行处理；取出水洗；置于1~5%的己二酸盐和0.1~1%的磷酸二氢盐混合水溶液中，在85℃、20 mA/(cm)²、48 V的条件下，化成5分钟；取出水洗；然后进行400~550℃的高温热处理1~5分钟；再置于0.1~1%的磷酸二氢盐水溶液中，在85℃、20 mA/(cm)²、48 V的条件下，化成5分钟 ；取出，水洗，烘干。将利用该方案制备的低压化成箔用于制备铝电解电容器，电容器的漏电流虽能得到一定程度的降低，但是由于化成后的铝箔表面会存在水合膜，制成固态铝电解电容器后有机高分子难以进入会导致电容器的容量引出率较低，且化成形成的氧化膜的间隙较大，漏电流仍然是比较大，无法满足固态铝电解电容器要求。

因此，有必要针对现有的化成箔制备工艺进行更为科学合理的改进来进一步提升在其基础上制备的固态铝电解电容器的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法，制备工艺合理，可消除化成处理后铝箔表面的水合膜，使得终产品的容量引出率明显提升，而漏电流明显降低。

本发明的技术方案为：一种固态铝电解电容器用低压化成箔制造方法，主要包括如下步骤：

a)将腐蚀箔置于10~20 wt%的己二酸铵溶液中，在温度为80~90℃，电流密度为100~200 mA/cm²、电压为印加电压的20%的条件下，阳极氧化10~15 min得到一级化成箔；

b)将一级化成箔置于10~20 wt%的己二酸铵溶液中，在温度为80~90℃，电流密度为100~200 mA/cm²、电压为印加电压的40%的条件下，阳极氧化10~15 min，得到二级化成箔；

c)将二级化成箔置于10~20 wt%的己二酸铵溶液中，在温度为80~90℃，电流密度为100~200 mA/cm²、电压为印加电压的60%的条件下，阳极氧化10~15 min得到三级化成箔；