[发明专利]射频功率放大电路与电子设备在审
申请号: | 202110406085.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113037233A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 柯庆福;钟林;孙凯;郑新年 | 申请(专利权)人: | 晋江三伍微电子有限公司 |
主分类号: | H03F3/20 | 分类号: | H03F3/20;H03F3/193 |
代理公司: | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 周冬文 |
地址: | 362200 福建省泉州市晋江市罗山*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 功率 放大 电路 电子设备 | ||
本发明提供了一种射频功率放大电路,包括:功率放大器、功率检测模块、反馈调节模块与偏置模块;所述功率放大器的第一端连接第一电压源,所述功率放大器的第二端接地,所述偏置模块连接于所述功率放大器控制端与第一端之间,以控制所述功率放大器的偏置电压;所述功率放大器的控制端直接或间接连接信号输入端,以通过所述信号输入端接入射频信号;所述功率检测模块被配置为能够采集到功率检测信号,所述功率检测信号表征了所述功率放大器的输出功率;所述功率检测模块的输出端连接所述反馈调节模块的输入端,以将所述功率检测信号反馈至所述反馈调节模块;所述反馈调节模块的输出端连接所述偏置模块,以响应于所述功率检测信号,调节所述偏置电压。
技术领域
本发明涉及射频信号处理领域,尤其涉及一种射频功率放大电路与电子设备。
背景技术
射频功率放大电路通常采用异质结双极晶体管(HBT)、互补式金属氧化物半导体晶体管(CMOS)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等作为放大晶体管,称为功率管,其也可理解为功率放大器。5G、wifi6等新一代通讯标准对射频功率放大器线性度和效率等性能提出很高要求。
射频功率放大电路中,可利用偏置模块为功率放大器提供偏置电压,现有相关技术中,可通过外部的介入调整偏置电压,然而,基于外部介入的调整方式无法准确、及时适应功率放大器的实际工作状态,进而,会带来放大效率不高等缺陷。
发明内容
本发明提供一种射频功率放大电路与电子设备,以解决放大效率不高的问题。
根据本发明的第一方面,提供了一种射频功率放大电路,包括:功率放大器、功率检测模块、反馈调节模块与偏置模块;
所述功率放大器的第一端连接第一电压源,所述功率放大器的第二端接地,所述偏置模块连接于所述功率放大器控制端与第一端之间,以控制所述功率放大器的偏置电压;所述功率放大器的控制端直接或间接连接信号输入端,以通过所述信号输入端接入射频信号;
所述功率检测模块被配置为能够采集到功率检测信号,所述功率检测信号表征了所述功率放大器的输出功率;
所述功率检测模块的输出端连接所述反馈调节模块的输入端,以将所述功率检测信号反馈至所述反馈调节模块;
所述反馈调节模块的输出端连接所述偏置模块,以响应于所述功率检测信号,调节所述偏置电压。
可选的,所述功率检测模块用于:
在所述输出功率升高时,升高所述功率检测信号的电压;
在所述输出功率降低时,降低所述功率检测信号的电压;
所述反馈调节模块用于:
在所述功率检测信号的电压高于最低电压阈值时,控制所述偏置电压随所述功率检测信号的电压的变大而变大,随所述功率检测信号的电压的变小而变小。
可选的,所述反馈调节模块包括差分放大器,所述偏置模块包括放大管与偏置功率管;所述偏置功率管的第一端与第二端连接于所述功率放大器的控制端与第一端之间,所述偏置功率管的第一端连接所述第一电压源,所述偏置功率管的第二端直接或间接连接所述功率放大器的控制端,所述偏置功率管的控制端直接或间接连接所述功率放大管的第一端与第二电压源;
所述差分放大器的第一输入端接入参考电压,所述差分放大器的第二输入端连接所述功率检测模块的输出端,以获取所述功率检测信号;
所述差分放大器用于:
当所述功率检测信号的电压低于所述最低电压阈值时,驱动所述放大管完全开启;
当所述功率检测信号的电压高于所述最低电压阈值时,响应于所述功率检测信号的电压升高,降低所述放大管的开启幅度;以及:响应于所述功率检测信号的电压降低,提升所述放大管的开启幅度;
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