[发明专利]一种单基质双带白光发射材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种单基质双带白光发射材料，其特征在于，其化学式为(C₁₆H₃₆N)CuI₂。

2.如权利要求1所述单基质双带白光发射材料，其特征在于，所述单基质双带白光发射材料具体为晶体材料，具有零维晶格结构，是[Cu₂I₄]^2-团簇被有机阳离子[C₁₆H₃₆N]⁺包裹着形成的零维晶格结构。

3. 如权利要求1所述单基质双带白光发射材料，其特征在于，所述单基质双带白光发射材料，其发射光谱有两个发光带，发射光谱覆盖400～850 nm可见光区域；其激发光谱覆盖250～400 nm；其荧光量子产率（PLQY）为54.3%。

4.制备如权利要求1－3任意一项所述单基质双带白光发射材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将C₁₆H₃₆NI与CuI按1:1的摩尔比称量准备原料C₁₆H₃₆NI与原料CuI，接着，向有机溶剂中加入H₃PO₂及C₁₆H₃₆NI与CuI，超声处理后得到前驱体溶液；所述有机溶剂为DMF或DMSO；

（2）将所述步骤（1）得到的所述前驱体溶液过滤，取滤液置于容器内，静置使所述滤液中的溶剂挥发，进而使单基质双带白光发射材料析出生长；当静置的时间达到预先设定的时间后，取出生长得到的单基质双带白光发射材料即可。

5. 如权利要求4所述方法，其特征在于，所述步骤（1）中，按(C₁₆H₃₆N)CuI₂计，所述前驱体溶液的浓度为0.3~1.67 mol/L。

6. 如权利要求4所述方法，其特征在于，所述步骤（1）中，所述超声处理的时间为10~20min。

7.如权利要求4所述方法，其特征在于，所述步骤（2）中，静置使所述滤液中的溶剂挥发，具体是在通风橱内进行的；所述预先设定的时间为1~3天。

8.如权利要求4所述方法，其特征在于，所述步骤（2）中，生长得到的单基质双带白光发射材料，还经过清洗、干燥处理；所述清洗是用乙醇冲洗，所述干燥为自然晾干。

9.如权利要求1－3任意一项所述单基质双带白光发射材料在白光LED中的应用。

10.如权利要求9所述应用，其特征在于，所述单基质双带白光发射材料具体是与紫外芯片配合一同构建白光LED器件。