[发明专利]致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法

权利要求书

1.一种致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，包括：

基于岩石样品，获取多类储层的孔喉结构基本特征；

针对每类储层，基于其孔喉结构基本特征制作对应的孔喉结构示意图；

针对每类储层，根据其对应的孔喉结构示意图建立对应的孔喉结构模型；

对每类储层对应的孔喉结构模型依次进行饱和水实验、气驱水实验和水驱气实验，并基于多类储层对应的多个实验结果，建立多孔介质模型；

基于所述多孔介质模型，获得孔喉尺寸的单位时间流量以及流动阻力。

2.根据权利要求1所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，根据以下步骤获取多类储层的孔喉结构基本特征：

获取所述岩石样品的常规压汞样品测试的实验结果，确定排驱压力、饱和度中值压力及束缚水饱和度；

基于所述排驱压力、饱和度中值压力及束缚水饱和度，确定不同渗透率岩样不同孔喉半径的分布频率及不同渗透率岩样不同孔喉半径所控制的孔隙体积百分数；

对所述岩石样品进行核磁共振实验，获得通过不同转速离心后的核磁共振T2谱；

结合所述岩石样品的孔隙度、渗透率、不同渗透率岩样不同孔喉半径的分布频率、不同渗透率岩样不同孔喉半径所控制的孔隙体积百分数及核磁共振T2谱，将所述岩石样品的储层分类，确定每类储层的孔喉结构基本特征。

3.根据权利要求2所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述孔喉结构基本特征包括岩心喉道及孔隙尺寸，所述确定每类储层的孔喉结构基本特征包括：根据压汞资料获得毛管半径分布，基于所述毛管半径分布，获得每类储层的岩心喉道半径平均值；根据薄片资料分析，量出每类储层的孔隙平均半径。

4.根据权利要求3所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述针对每类储层，根据其对应的孔喉结构示意图建立对应的孔喉结构模型包括：

基于每类储层对应的孔喉结构示意图，采用光化学刻蚀工艺，将所述孔喉结构基本特征光刻到平面玻璃上，将光刻的平面玻璃进行高温烧制，获得所述储层对应的孔喉结构模型。

5.根据权利要求4所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述基于多类储层对应的多个实验结果，建立多孔介质模型包括；

基于多类储层对应的孔喉结构模型的多个实验结果，根据孔喉结构基本特征及所述共振T2谱图确定岩心饱和度，抽象出一个类气水分布模型；

基于所述类气水分布模型，建立多孔介质模型。

6.根据权利要求5所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述多孔介质模型包括所有微观孔喉中总流量模型和总流动阻力模型，所述基于所述类气水分布模型，建立多孔介质模型包括：

基于所述类气水分布模型，建立单个微观孔喉中总的流动阻力数学模型及总的流动压差数学模型；

分别基于所述单个微观孔喉中总的流动阻力数学模型及总的流动压差数学模型，建立所有微观孔喉中的总流量模型和总流动阻力模型。

7.根据权利要求6所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述所有微观孔喉中总流量模型为：

其中，Q为流速；Δp为总流动阻力；p₁为注入端压力；p₂为生产端压力；n为喉道个数，m为孔隙个数；σ为界面张力；μ_w为水粘度；μ_g为气体粘度；l为毛细管长度；r₁为孔隙半径；r₂为喉道半径；S_w为含水饱和度；t为非连续气相离散化等分数；i为非连续气相第i等分；θ₁为接近喉道气水接触角；θ₂为远离喉道气水接触角。

8.根据权利要求6所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，基于哈根-泊肃叶方程建立所述单个微观孔喉中总的流动阻力数学模型。

9.根据权利要求8所述的致密低渗气藏气水两相微观渗流评价方法，其特征在于，所述所有微观孔喉中的总流动阻力模型为：

其中，Δp_r为总流动阻力；σ为界面张力；μ_w为水粘度；μ_g为气体粘度；Q为流速；l为毛细管长度；r₁为孔隙半径；r₂为喉道半径；S_w为含水饱和度；t为非连续气相离散化等分数；i为非连续气相第i等分；θ₁为接近喉道气水接触角；θ₂为远离喉道气水接触角。