[发明专利]一种RBDT器件的触发电路及其在脉冲发生器的应用

权利要求书

1.一种RBDT器件的触发电路，其特征在于，包括：直流电源、开关管、原边储能电容、可饱和变压器、副边储能电容、漂移阶跃恢复二极管(DSRD)；所述可饱和变压器包括原边绕组、副边绕组以及磁芯；

所述触发电路用于对反向阻断双端固态闸流管(RBDT)进行触发，所述反向阻断双端固态闸流管(RBDT)所在的反向阻断双端固态闸流管(RBDT)支路与所述漂移阶跃恢复二极管(DSRD)反向并联；

所述直流电源的正极分别连接原边储能电容的一端和开关管的一端；原边储能电容的另一端连接原边绕组的一端，原边绕组的另一端、开关管的另一端以及直流电源的负极共同接地；副边绕组的一端连接副边储能电容的一端，副边储能电容的另一端分别连接漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的一端和反向阻断双端固态闸流管(RBDT)支路的一端，副边绕组的另一端、漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的另一端以及反向阻断双端固态闸流管(RBDT)支路的另一端共同接地；

初始时刻，开关管和反向阻断双端固态闸流管(RBDT)处于阻断状态，直流电源给原边储能电容充电；充电完成后，将开关管开通，原边储能电容通过原边绕组和开关管所在回路放电，并经过可饱和变压器变压后通过副边绕组、副边储能电容以及漂移阶跃恢复二极管(DSRD)所在回路给副边储能电容充电，此时漂移阶跃恢复二极管(DSRD)正向导通；

通过设置可饱和变压器参数，使得原边储能电容放电完毕后，副边储能电容的电压达到最大值，可饱和变压器的磁芯饱和，此时副边储能电容通过副边绕组和漂移阶跃恢复二极管(DSRD)所在回路放电，漂移阶跃恢复二极管(DSRD)反向导通，待漂移阶跃恢复二极管(DSRD)内部等离子体抽取完毕后，流过漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的电流被截断，并通过反向阻断双端固态闸流管(RBDT)支路将流向漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的电流转移到反向阻断双端固态闸流管(RBDT)上，在反向阻断双端固态闸流管(RBDT)上产生触发脉冲，当反向阻断双端固态闸流管(RBDT)两端的电压大于其阻断电压后，反向阻断双端固态闸流管(RBDT)导通。

2.根据权利要求1所述的触发电路，其特征在于，还包括：限流电阻；

所述限流电阻的一端连接直流电源的正极，另一端连接原边储能电容的一端。

3.根据权利要求1所述的触发电路，其特征在于，还包括：第一二极管和耗能电阻；

所述第一二极管的阴极连接原边储能电容靠近直流电源正极侧的一端，第一二极管的阳极连接耗能电阻的一端，耗能电阻的另一端连接原边储能电容的另一端；或所述耗能电阻的一端连接原边储能电容靠近直流电源正极侧的一端，耗能电阻的另一端连接第一二极管的阴极，第一二极管的阳极连接原边储能电容的另一端。

4.根据权利要求1所述的触发电路，其特征在于，还包括：原边电感；

所述原边电感串联在原边储能电容和原边绕组的一端之间。

5.根据权利要求4所述的触发电路，其特征在于，所述原边绕组和副边绕组均绕制在所述磁芯上；

所述通过设置可饱和变压器参数，使得原边储能电容放电完毕后，副边储能电容的电压达到最大值，可饱和变压器的磁芯饱和，具体为：

通过设计合适的磁芯截面积，使得原边储能电容放电完毕后，副边储能电容的电压达到最大值，可饱和变压器的磁芯饱和；或

当磁芯截面积大于或小于设计值时，调整所述原边电感的电感值使得原边储能电容放电完毕后，副边储能电容的电压达到最大值，可饱和变压器的磁芯饱和。