[发明专利]感测装置在审
| 申请号： | 202110381121.5 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN115208354A | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 李淂裕;杨蕙菁;黄旸瑞;蔡亚历;戴亚翔 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/70 | 分类号： | H03H9/70 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 装置 | ||
1.一种感测装置，其特征在于，包括：
一感测电路；
一导线，电性连接该感测电路；以及
一取样电路，电性连接该导线，该取样电路包括一电容、一第一薄膜晶体管、以及一第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管的一第一端电性连接该电容的一第一端，该第二薄膜晶体管的一第一端电性连接该电容的一第二端，该第一薄膜晶体管的一第二端电性连接该导线，该第二薄膜晶体管的一第二端电性连接一接地端。
2.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，还包括一多工器，电性连接于该感测电路与该取样电路之间。
3.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，还包括一多工器，该取样电路电性连接于该感测电路与该多工器之间。
4.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该感测装置为一指纹辨识装置。
5.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该感测电路包括：
一第三薄膜晶体管，该第三薄膜晶体管的一第一端接收一第一电压；
一感测元件，该感测元件的一第一端电性连接该第三薄膜晶体管的一第二端，该感测元件的一第二端接收一第二电压；
一第四薄膜晶体管，该第四薄膜晶体管的一栅极端电性连接该第三薄膜晶体管的该第二端，该第四薄膜晶体管的一第一端接收一第三电压；以及
一第五薄膜晶体管，该第五薄膜晶体管的一第一端电性连接该第四薄膜晶体管的一第二端，该第五薄膜晶体管的一第二端电性连接该导线。
6.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该电容的该第一端的电压为V1–ΔVphoto–Vth，其中V1为该第一电压，ΔVphoto为该感测元件的该第一端与该第二端之间的一电压差，Vth为该第五薄膜晶体管的一临界电压。
7.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该电容的该第一端的电压为V1–Vth，其中V1为该第一电压，Vth为该第五薄膜晶体管的一临界电压。
8.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该电容的该第二端的电压为该感测元件所产生的一感测信号的电压。
9.如权利要求5所述的感测装置，其特征在于，该第三薄膜晶体管的一栅极端接收一重置信号，该第五薄膜晶体管的一栅极端接收一选择信号。
10.如权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该第一薄膜晶体管的一栅极端接收一第一控制信号，该第二薄膜晶体管的一栅极端接收一第二控制信号。
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