[发明专利]一种拉晶控制方法和设备、单晶炉以及计算机存储介质

权利要求书

1.一种拉晶控制方法，其特征在于，应用于单晶炉中，所述单晶炉包括加热器以及拉晶装置；所述拉晶控制方法包括：

响应于加料完成信号，接收图像采集处理设备发送的所述单晶炉内熔料图像的固液参数；

当所述固液参数满足降低功率条件时，控制所述加热器的加热功率在第一预设时长内下降至目标功率；

当所述固液参数满足熔料全熔条件时，控制所述拉晶装置的拉晶参数调整至目标拉晶参数；

所述熔料的固液参数包括所述熔料图像中的液体比值以及固体比值；

其中，所述液体比值为所述熔料图像中液体区域面积与所述熔料图像中熔料区域面积之间的比值，所述固体比值为所述熔料图像中固体区域面积与所述熔料图像中熔料区域面积之间的比值；

所述熔料图像中熔料区域面积为：所述熔料图像中灰度值满足熔料阈值范围的区域面积；

所述熔料图像中固体区域面积为：对所述熔料图像进行边缘检测以及膨胀处理后得到的连通区域面积；所述熔料图像中液体区域面积为所述熔料图像的暗液体区域的面积与所述熔料图像的亮液体区域的面积之和：所述熔料图像中灰度值小于第一液体阈值的区域定义为所述暗液体区域，所述熔料图像中灰度值大于第二液体阈值的区域定义为所述亮液体区域。

2.根据权利要求1所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述降低功率条件为：所述液体比值大于第一数值，以及所述固体比值小于第二数值。

3.根据权利要求2所述拉晶控制方法，其特征在于，所述第一数值的范围包括0.2-0.25，所述第二数值的范围包括0.58-0.62。

4.根据权利要求1所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述接收图像采集处理设备发送的所述单晶炉内的熔料图像的固液参数包括：周期性的接收图像采集处理设备发送的所述单晶炉内的熔料图像的固液参数；

所述降低功率条件包括：在一个接收周期内，所述熔料的液体比值大于第一数值，以及固体比值小于第二数值的次数均大于或等于预设次数。

5.根据权利要求1-4任一项所述的拉晶控制方法，其特征在于，

所述熔料全熔条件为：所述液体比值大于第三数值。

6.根据权利要求5所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述第三数值范围包括0.4-0.45。

7.根据权利要求1-4任一项所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述单晶炉还包括水冷屏，在响应于加料完成信号后，所述拉晶控制方法还包括：

在第二预设时长后，向所述水冷屏发送水冷屏下降控制信号，所述水冷屏下降控制信号用于控制所述水冷屏下降至目标位置。

8.根据权利要求1-4任一项所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述单晶炉还包括温度检测装置，在当所述固液参数满足熔料全熔条件时，将所述拉晶装置的拉晶参数调整至目标拉晶参数之后，所述拉晶控制方法还包括：

接收所述温度检测装置发送的所述单晶炉内的熔料温度变化率，当所述熔料温度的变化率小于预设变化率时，进入调温稳定化阶段。

9.根据权利要求8所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述预设变化率为0.019-0.021。

10.根据权利要求1-4任一项所述的拉晶控制方法，其特征在于，所述拉晶参数包括：单晶炉内压强、拉晶埚转、氩气流量中的至少一种。

11.一种拉晶控制设备，其特征在于，包括：处理器和通信接口，所述通信接口和所述处理器耦合，所述处理器用于运行计算机程序或指令，以实现权利要求1～10任一项所述的拉晶控制方法。

12.一种单晶炉，其特征在于，包括加热器、拉晶装置、水冷屏、温度检测装置以及权利要求11所述的拉晶控制设备，所述拉晶控制设备与所述加热器、所述拉晶装置、所述水冷屏以及所述温度检测装置通信连接。

13.一种计算机存储介质，其特征在于，所述计算机存储介质中存储有指令，当所述指令被运行时，实现权利要求1～10任一项所述的拉晶控制方法。