[发明专利]多功能SD卡在审
申请号: | 202110376040.6 | 申请日: | 2021-04-08 |
公开(公告)号: | CN113822403A | 公开(公告)日: | 2021-12-21 |
发明(设计)人: | L.阿亚纳古达;N.拉古帕锡 | 申请(专利权)人: | 西部数据技术公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多功能 sd | ||
1.一种电子电路卡片,其包括:
大体上平坦的卡片形罩壳;
第一组电子安全数字(SD)存储器电路,其容纳于所述罩壳内,具有遵循SD卡标准的协议,且包含安置在所述罩壳外部在其第一位置处的具有遵循SD卡标准的接触图案的第一组电接触件;以及
第二组电子SD存储器电路,其与所述第一组电子SD存储器电路分离,且包含不同于所述第一组电接触件并安置在所述罩壳外部在其第二位置处的第二组电接触件。
2.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电子存储器电路安置于所述罩壳的物理上分离的区中。
3.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电子SD存储器电路具有相同的容量和/或速度。
4.根据权利要求3所述的卡片,其中所述第一和第二组电子SD存储器电路具有不同的容量和/或速度。
5.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电接触件遵循所述SD卡标准。
6.根据权利要求1所述的卡片,其中所述罩壳是根据完整大小SD卡标准,所述第一组电子SD存储器电路是根据完整大小SD卡标准,且所述第二组电子SD存储器电路是根据微米或纳米SD卡标准。
7.根据权利要求6所述的卡片,其中所述第二组电接触件是根据所述微米或纳米SD标准,且包含开关,所述开关在第一位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第一组电子SD存储器电路,且在第二位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第二组SD存储器电路。
8.根据权利要求7所述的卡片,其包含容纳于所述罩壳内的电池。
9.根据权利要求8所述的卡片,其包含容纳于所述罩壳内的PCB。
10.一种安全数字(SD)卡,其包括:
罩壳,其是根据标准SD卡封装大小;
第一SiP封装,其安置于所述罩壳内;
第二SiP封装,其由所述罩壳承载在与所述第一SiP封装分离的位置处;
电接触件,其在所述罩壳的外表面上,操作以经由所述电接触件在所述SiP封装和所述卡片的外部之间传递数据。
11.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述SiP封装二者均采用SD协议,且所述电接触件包含在所述罩壳的第一端处的与所述第一SiP封装通信的第一组电接触件,以及在所述罩壳的相对端处的与所述第二SiP封装通信的第二组电接触件。
12.根据权利要求11所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有第一存储器容量和速度,且所述第二SiP封装具有与所述第一存储器容量相同或不同的第二存储器容量以及与所述第一速度相同或不同的第二速度。
13.根据权利要求12所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有预定存储容量和速度,且所述第二SiP封装具有相比于所述第一SiP封装相对较低的存储容量但相对较高的速度。
14.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述第一组电接触件具有与所述第二组电接触件的旋转对称性。
15.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述SiP封装中的至少一个具有SLC高速缓存协议。
16.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有完整大小SD协议,且所述第二SiP具有微米SD或纳米SD协议。
17.根据权利要求16所述的SD卡,其中所述电接触件包含具有根据完整大小SD协议的图案的第一组电接触件,且所述第二组电接触件具有根据所述微米或纳米SD协议的图案。
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