[发明专利]一种抗干扰的CAN总线架构有效
申请号: | 202110370025.0 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113179200B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 万明亮;恽廷华 | 申请(专利权)人: | 上海川土微电子有限公司 |
主分类号: | H04L12/40 | 分类号: | H04L12/40;H02H9/04 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 李思琼;冯振华 |
地址: | 201306 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗干扰 can 总线 架构 | ||
1.一种抗干扰的CAN总线架构,包括CANH总线和CANL总线,所述CANH总线通过PMOS管连接电源,所述CANL总线通过NMOS管接地,其特征在于,还包括:
第一电流源和第一电容,与所述PMOS管连接,用于控制所述PMOS管慢速关断;
第二电流源和第二电容,与所述NMOS管连接,用于控制所述NMOS管慢速关断;
还包括放电通路,所述放电通路连接在所述CANH总线与供电电压之间,以及所述CANL总线与供电电压之间;所述CANH总线与供电电压之间的放电通路,以及所述CANL总线与供电电压之间的放电通路均由高压PMOS管、高压NMOS管和低压NMOS管相互连接组成;
当总线由显性状态向隐形状态跳变时,所述低压NMOS管的栅极由脉冲驱动一次;
所述高压PMOS管上还连接用于保护该高压PMOS管的栅氧不被击穿的二极管;所述高压PMOS管上还连接用于提供该高压PMOS管的栅极电位,确保该高压PMOS管处于开通状态的电阻。
2.根据权利要求1所述的抗干扰的CAN总线架构,其特征在于,还包括接收器,所述CANH总线和CANL总线分别连接在所述接收器的两个输入端,所述接收器和所述CANH总线、所述CANL总线之间设置低通滤波器。
3.根据权利要求2所述的抗干扰的CAN总线架构,其特征在于,所述低通滤波器由分别连接在所述CANH总线和CANL总线上的电阻以及电容连接组成。
4.根据权利要求1所述的抗干扰的CAN总线架构,其特征在于,还包括,连接在所述CANH总线与PMOS管之间,以及所述CANL总线与NMOS管之间的二极管。
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