[发明专利]基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统和方法

权利要求书

1.一种基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，包括支撑结构、基板(11)、光敏聚合物容器池(10)、物镜(9)、第一光学结构、第二光学结构、光学成像装置和控制器；所述的控制器用于控制第一光学结构、第二光学结构的启闭及工作参数，光学成像装置用于获取物镜(9)的成像信息；

所述的光敏聚合物容器池(10)固定在支撑结构上，基板(11)通过多轴工作台(12)悬挂在光敏聚合物容器池(10)的正上方，物镜(9)安装在光敏聚合物容器池(10)的正下方，能够实现垂直方向上的移动；所述的第一光学结构发射第一波长的光，通过物镜(9)聚焦在光敏聚合物中，引发单光子聚合；所述的第二光学结构发射第二波长的光，通过物镜(9)聚焦在光敏聚合物中，引发多光子聚合。

2.根据权利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，所述的光敏聚合物容器池的底部材质为透氧薄膜。

3.根据权利要求2所述的基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，所述的第一光学结构采用数字微镜装置(6)产生图案光，所述的第二光学结构通过飞秒激光器(8)产生双光子光。

4.根据权利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，所述的光学成像装置包括可见光源(1)、光电探测器(5)和分束器(2)；由可见光源(1)发出的可见光束经分束器(2)后入射到物镜(9)中，通过物镜(9)照射到光敏聚合物容器池(10)内，返回的光经过分束器(2)后被反射至光电探测器(5)中成像。

5.根据权利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，在第一光学结构、第二光学结构和物镜(9)之间的光路上还设有第一二向色镜(3)、第二二向色镜(4)和二维振镜(7)；由第一光学结构发射的第一波长的光依次经过第一二向色镜(3)、第二二向色镜(4)后入射至物镜(9)中，由第二光学结构发射的第二波长的光依次经过二维振镜(7)、第二二向色镜(4)后入射至物镜(9)中。

6.根据权利要求1所述的基于多尺度多光子光刻技术的微纳米三维结构制备系统，其特征在于，所述的多轴工作台(12)由三轴位移台和角度旋转台构成。