[发明专利]一种异构兼容拓扑结构

权利要求书

1.一种异构兼容拓扑结构，其特征在于：包括总电池组、小电池组、第一层拓扑均衡电路和若干个并联的第二层拓扑均衡电路和H桥模块；小电池组包括多个串联的相邻单体电池，总电池组包括多个串联的小电池组；第一层拓扑均衡电路包括多绕组变压器和控制开关，小电池组内的一个单体电池、控制开关K1_1和一个多绕组变压器的副绕组连接，形成第一层充电回路；小电池组、控制开关K1和多绕组变压器的原绕组连接，形成第一层放电回路；H桥模块与放电回路连接线；

第二层拓扑均衡电路包括变压器和两个控制开关，变压器的原绕组、控制开关S1和总电池组连接，形成第二层放电回路；变压器的副绕组、控制开关S1_1和小电池组连接，形成第二层充电回路。

2.根据权利要求1所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述H桥电路包括第一可控开关S1、第二可控开关S2、第三可控开关S3和第四可控开关S4，第一可控开关S1的集电极和第三可控开关S3的集电极连接作为正极输入端X1，第二可控开关S2的发射极和第四可控开关S4的发射极连接作为负极输入端X2，

第一可控开关S1的发射极和第二可控开关S2的集电极连接作为第一交流输出端X3，

第三可控开关S3的发射极和第四可控开关S4的集电极连接作为第二交流输出端X4。

3.根据权利要求2所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述复合吸收电路包括电容C、二极管D和电阻R，

二极管D的阳极与H桥电路的正极输入端相连，二极管D的阴极串联电容C后再连接到H桥电路的负极输入端，

电阻R并联在电容C的两端。

4.根据权利要求3所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述复合吸收电路还包括第二电容，所述第二电容的两端分别与H桥电路的正极输入端和负极输入端连接。

5.根据权利要求2所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述复合吸收电路包括电容C、电阻R和第二电容，

所述电阻R的一端与H桥电路的正极输入端连接，另一端与电容C的一端连接，电容C的另一端与H桥电路的负极输入端连接，

所述第二电容的两端分别与H桥电路的正极输入端和负极输入端连接。

6.根据权利要求1～5任一项所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述MMHC储能变换器还包括储能模块，所述储能模块的输出端与H桥电路的输入端连接，

所述储能模块包括至少一组相连接的电池和储能单元，储能单元的输出端相互串联组成储能模块，储能模块设有正极输出端和负极输出端。

7.根据权利要求6所述的异构兼容拓扑结构，其特征在于，所述MMHC储能变换器包括三个储能模块，所述H桥模块包括三个H桥电路，所述H桥电路的一个输出端相连接而不引出作为公共连接端，三个H桥电路的另一个输出端作为三相输出端。