[发明专利]硅酮基粘合保护膜及包含其的光学元件有效

专利信息
申请号: 202110366483.7 申请日: 2021-04-06
公开(公告)号: CN113493663B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 韩东一;金泫昇;金源;伊里纳·纳玛;金一镇 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: C09J7/30 分类号: C09J7/30;C09J183/07;C09J183/05;G02B1/14
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硅酮 粘合 保护膜 包含 光学 元件
【权利要求书】:

1.一种硅酮基粘合保护膜,所述硅酮基粘合保护膜由包含以下的组合物形成:

第一硅酮树脂,所述第一硅酮树脂具有乙烯基和由式1表示的硅氧烷单元;以及

第二硅酮树脂,所述第二硅酮树脂具有R1R2R3SiO1/2单元,其中,R1、R2和R3各自独立地是乙烯基或C1至C5烷基,并且R1、R2和R3中的至少一个是乙烯基;和SiO4/2单元,

其中,基于所述硅酮基粘合保护膜中的硅氧烷单元的总摩尔数,所述由式1表示的硅氧烷单元以0.1mol%至5mol%的量存在,

[式1]

R1R2SiO2/2

其中,R1和R2各自是苯基。

2.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述硅酮基粘合保护膜具有65%或更小的剥落率,所述剥落率通过使用用于根据ASTM D3002/D3359确定对被粘物的粘合性的测试测量所述硅酮基粘合保护膜的剥落表面积与总表面积的百分比比率来确定。

3.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述硅酮基粘合保护膜在25℃下具有0.5MPa至5MPa的杨氏模量。

4.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述硅酮基粘合保护膜具有根据等式1计算的75%或更小的剥离强度增加率:

[等式1]

剥离强度增加率={|PS3-PS0|/PS0}×100

其中,PS0表示所述硅酮基粘合保护膜相对于被粘物的以单位gf/英寸表示的初始剥离强度,并且

PS3表示所述硅酮基粘合保护膜相对于所述被粘物的以单位gf/英寸表示的剥离强度,所述剥离强度是在将所述硅酮基粘合保护膜和所述被粘物的层压体在50℃和45%RH下放置3天之后测量的。

5.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述第一硅酮树脂包括由式1-1表示的硅酮树脂:

[式1-1]

(R1R2SiO2/2)x(R3R4SiO2/2)y(R5R6SiO2/2)z

其中,R1和R2各自是苯基,

R3是乙烯基或一价有机基团,在所述一价有机基团的末端具有乙烯基,

R4是一价有机基团,

R5和R6各自独立地是一价有机基团,

0x1,0y1,0≤z1,并且x+y+z=1。

6.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述第一硅酮树脂包括两种第一硅酮树脂的混合物,并且所述两种第一硅酮树脂具有不同的乙烯基含量。

7.根据权利要求6所述的硅酮基粘合保护膜,其中,所述第一硅酮树脂具有0.2mmol/g或更低的乙烯基含量。

8.根据权利要求1所述的硅酮基粘合保护膜,其中,基于所述硅酮基粘合保护膜中的硅氧烷单元的总摩尔数,所述SiO4/2单元以0.5mol%至10mol%的量存在。

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