[发明专利]芳基胺化合物、空穴传输层和空穴注入层用材料、发光器件和装置、电子设备及照明装置在审
申请号: | 202110362077.3 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113493389A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 濑尾哲史;大泽信晴;久保田朋广;渡部刚吉;植田蓝莉;北野靖;鸟巢崇生 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | C07C211/61 | 分类号: | C07C211/61;C07C209/10;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 刘多益;胡烨 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 芳基胺 化合物 空穴 传输 注入 用材 发光 器件 装置 电子设备 照明 | ||
1.一种至少具有一个芳香基的芳基胺化合物,
其中,所述芳香基具有第一苯环、第二苯环及第三苯环以及至少三个烷基,
所述第一苯环、所述第二苯环及所述第三苯环依次直接键合,
所述第一苯环与所述芳基胺化合物中的胺的氮键合,
并且,所述第一苯环、所述第二苯环及所述第三苯环中的两个以上在1位及3位分别独立地与其他苯环、所述烷化苯基的苯环、所述至少三个烷基中的任意个或所述胺的所述氮键合。
2.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述第二苯环或所述第三苯环具有烷化苯基。
3.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述第一苯环具有取代或未取代的苯基。
4.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述第一苯环、所述第二苯环及所述第三苯环中的所有苯环在所述1位及所述3位以及烷化苯基的苯环在1位及3位分别独立地与其他苯环、所述烷化苯基的苯环、所述至少三个烷基中的任意个或所述胺的所述氮键合。
5.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述第一苯环、所述第二苯环及所述第三苯环中的所有苯环在所述1位、所述3位及5位以及烷化苯基的苯环在1位、3位及5位分别独立地与其他苯环、所述至少三个烷基中的任意个或所述胺的所述氮键合,
并且其他键合位置未取代。
6.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,还具有第二芳香基,
其中所述第二芳香基为取代或未取代的单环或者取代或未取代的三环以下的稠环骨架。
7.根据权利要求6所述的芳基胺化合物,
其中所述第二芳香基为取代或未取代的三环以下的稠环骨架,
并且形成所述稠环骨架的碳原子数为6至13。
8.根据权利要求7所述的芳基胺化合物,
其中所述稠环骨架为芴环。
9.根据权利要求6所述的芳基胺化合物,
其中所述第二芳香基为二甲基芴基。
10.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,还具有第三芳香基,
其中所述第三芳香基具有取代或未取代的一个至三个苯环。
11.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述烷基为碳原子数为2至5的链烷基。
12.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述烷基为碳原子数为3至5的支链链烷基。
13.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述烷基为叔丁基。
14.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述芳基胺化合物为三芳基胺化合物。
15.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中由所述芳基胺化合物形成的层的相对于波长455nm以上且465nm以下的光的寻常光折射率为1.5以上且1.75以下。
16.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中由所述芳基胺化合物形成的层的相对于波长633nm的光的寻常光折射率为1.45以上且1.70以下。
17.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述芳基胺化合物的分子量为400以上且1100以下。
18.根据权利要求1所述的芳基胺化合物,
其中所述芳基胺化合物为单胺化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110362077.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。