[发明专利]一种势垒调节类型的距离信息获取传感器与使用其的探测系统

权利要求书

1.一种势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，包含半导体基体，其包含了转化区以将光信号转化为光生电荷，所述半导体基体的之一表面附近区域包含有第一类型掺杂区，所述转化区与所述第一类型掺杂区的掺杂不同，所述第一类型掺杂区延伸至所述半导体基体之一表面的部分区域连接控制部的栅极，所述转化区包含了势垒调整的区域，所述势垒调整区与包围浮动扩散节点的P阱区域相接触或间隔预设间隙。

2.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部为大于等于2个，其类型包含MOS类型晶体管等等。

3.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部用于调节所述转化区中产生的光生电荷至所述浮动扩散节点的电势，以改变所述光生电荷运动的阻力。

4.根据权利要求3所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部的栅极所施加的电压范围为1V-1.5V。

5.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述P阱区域还连接有限定所述转化区形成像素单元的隔离部。

6.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述转化区的掺杂类型为N型掺杂，所述第一掺杂区的掺杂类型为P型掺杂。

7.根据权利要求6所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述第一掺杂区还包含用于钳制所述光生电荷的钳位区，所述钳位区的P型掺杂浓度大于所述第一掺杂区中P型掺杂浓度。

8.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部栅极施加的控制电压低于所述控制部在所述光电转化区至所述浮动扩散节点之间构建连通沟道的控制电压。

9.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部通过栅极的控制电压调整使得所述转化区与所述浮动扩散节点之间的势垒发生变化，实现了所述转化区与所述浮动扩散节点之间构建起势垒影响区域的光生电荷转移区，而非电荷转移的沟道区。

10.根据权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，所述控制部与所述的浮动扩散节点包含间隔部。

11.一种探测系统包含如权利要求1所述的势垒调节类型的距离信息获取传感器，其特征在于，包含光源，用于照亮视场，包含所述势垒调节类型的距离信息获取传感器的接收模块，包含半导体基体，其包含了转化区以将所述光源在视场内的返回光信号转化为光生电荷，所述半导体基体的之一表面附近区域包含有第一类型掺杂区，所述转化区与所述第一类型掺杂区的掺杂不同，所述第一类型掺杂区延伸至所述半导体基体之一表面的部分区域连接控制部的栅极，所述转化区包含了势垒调整的区域，所述势垒调整区与包围浮动扩散节点的P阱区域相接触或间隔预设间隙。

12.根据权利要求11所述的探测系统，其特征在于，所述控制部用于调节所述转化区中产生的光生电荷至所述浮动扩散节点的电势，以改变所述光生电荷运动的阻力。

13.根据权利要求12所述的探测系统，其特征在于，所述控制部的栅极所施加的电压范围为1V-1.5V。

14.根据权利要求11所述的探测系统，其特征在于，所述转化区的掺杂类型为N型掺杂，所述第一掺杂区的掺杂类型为P型掺杂。

15.根据权利要求11所述的探测系统，其特征在于，所述控制部栅极施加的控制电压低于所述控制部在所述光电转化区至所述浮动扩散节点之间构建连同沟道的控制电压。