[发明专利]一种基于比色测温的金属材料表面温度测量方法有效

专利信息
申请号: 202110326704.8 申请日: 2021-03-26
公开(公告)号: CN113175998B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 舒双宝;王子艺;杨子强;张育中;郎贤礼 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: G01J5/60 分类号: G01J5/60
代理公司: 合肥中博知信知识产权代理有限公司 34142 代理人: 张加宽
地址: 230000 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 比色 测温 金属材料 表面温度 测量方法
【权利要求书】:

1.一种基于比色测温的金属材料表面温度测量方法,其特征在于:包括以下步骤:

(1)通过对不同温度的黑体炉使用双波比色红外热像仪进行测量,拟合出两个波长下热像仪测量值的比值和两个波长下黑体炉辐射强度之间的关系;

(2)在不同的烘烤温度下使用双波比色红外热像仪对金属样品进行测量,计算各个烘烤温度下金属样品的发射率,拟合出金属样品表面温度与发射率的关系;

(3)在对金属目标实际测温时,利用双波比色红外热像仪测得的图像灰度值,计算两个波长下热像仪测得的辐射强度的比值,通过该比值计算出金属目标表面的真实温度;

在所述步骤(1)中,包括以下步骤:

(a)来自真空高温炉内部的辐射首先通过红外窗口,然后进入分光器,分光器由一块分束镜和两块单波长滤光片组成,分束镜使辐射一部分发生反射,一部分发生透射,透射辐射和反射辐射分别通过中心波长为λ1和λ2的单波长滤光片,并且两块滤光片中心波长相近,红外热像仪同时测量这两部分波长不同的辐射,红外热像仪的控制软件中将两部分波长不同的辐射分别显示在两个灰度图上,并且各占预览窗口的一半;

(b)将黑体炉放入真空高温炉内部,将黑体炉作为待测目标,使用双波比色红外热像仪对目标进行测量,根据热像仪图片灰度值计算出热像仪测量到波长为λ1的辐射强度为L1,波长为λ2的辐射强度为L2,L1和L2可以表示为:

L1=[W(λ1,T)×h1×k1×τ1+S1]×R1 (1)

L2=[W(λ2,T)×h2×k2×τ2×(1-r)+S2]×R2 (2)

其中,h1和h2分别表示大气对红外辐射的衰减;k1和k2分别表示分束镜的透过率和反射率;r表示反光镜对辐射的损耗;τ1和τ2分别表示中心波长为λ1和λ2的单波长滤光片的透过率;S1和S2是热像仪的自身辐射;R1和R2是热像仪的响应系数;W(λ,T)表示温度为T,波长为λ的黑体发出的辐射强度,可以用普朗克公式计算:

(c)L1和L2之比可以表示为式(4):

用a表示R1×h1×k1×τ1,b表示R1×S1,c表示R2×h2×k2×τ2×(1-r),且c不为零,d表示R2×S2,那么式(4)可以写为:

即:

(d)当黑体炉温度已知时,式(6)中W(λ1,T)和W(λ2,T)可以通过式(3)算出,L1和L2可以通过热像仪图像灰度值算出,用y表示用x1表示W(λ1,T),用x2表示且c不为零,式(6)可以表示为:

(e)依次将黑体炉设定为多个温度,记录热像仪图像的灰度值,得到一组y和对应的x1和x2,拟合得到和的值,即可得到λ1、λ2波长下热像仪测量值L1和L2的比值和λ1、λ2波长下黑体炉辐射强度W(λ1,T)、W(λ2,T)之间的关系,如式(8)所示:

在所述步骤(2)中,包括以下步骤:

(f)移去真空高温炉内部的黑体炉,将金属样品固定,在真空高温炉烘烤状态时使用双波比色红外热像仪对金属样品进行测量时,类似式(8)可得:

其中,L1和L2分别表示在金属样品表面温度为T时热像仪测量到的中心波长为λ1和λ2的辐射值,L1和L2可以通过热像仪图像的灰度值求出,M(λ1,T)和M(λ2,T)表示从真空高温炉内部发出且通过真空高温炉红外窗口向外传播的中心波长为λ1和λ2的辐射值;

(g)M(λ1,T)由以下三部分组成:

1)由金属样品发出的中心波长为λ1的辐射M11,T):

M11,T)=ε1×W(λ1,T) (10)

其中,ε1表示温度为T的金属样品在λ1波长下的发射率;W(λ1,T)表示温度为T的黑体在λ1波长下的辐射强度,可以由式(3)算出;

2)由真空高温炉内壁发出的,经过金属样品反射后的中心波长为λ1的辐射M21,T):

M21,T)=εr1×W(λ1,Tr)×(1-ε1) (11)

其中,Tr表示真空高温炉内壁的温度,真空高温炉内壁温度由水冷装置控制,Tr的大小可以根据实际情况设置;εr1表示温度为Tr的真空高温炉内壁在λ1波长下的发射率,真空高温炉内壁的发射率可以认为是1,即εr1=1;W(λ1,Tr)表示温度为Tr的黑体在λ1波长下的辐射强度,可以由式(3)算出;

3)由金属样品发出的,经过真空高温炉内壁和金属样品多次反射后的中心波长为λ1的辐射M31,T):

M(λ1,T)就是上述三部分之和,即:

因为εr1=1,且ε1<1,所以当辐射在金属样品和真空高温炉内壁之间反射多次,即n较大时,M31,T)可以忽略不计,所以式(13)可以写为:

M(λ1,T)=ε1×W(λ1,T)+(1-ε1)×W(λ1,Tr) (14)

(h)M(λ2,T)与M(λ1,T)的计算方式相同,所以M(λ2,T)可以表示为:

M(λ2,T)=ε2×W(λ2,T)+(1-ε2)×W(λ2,Tr) (15)

其中,ε2表示温度为T的金属样品在λ2波长下的发射率;W(λ2,T)表示温度为T的黑体在λ2波长下的辐射强度,可以通过式(3)算出;W(λ2,Tr)表示温度为Tr的黑体在λ2波长下的辐射强度,可以通过式(3)算出;

(i)当两个波长λ1和λ2相近时,同一温度且表面状态相同的金属样品的发射率可以认为近似相等,并且只与温度有关,即ε1=ε2=ε。分别用W1和W2表示W(λ1,T)和W(λ2,T),用Wr1和Wr2表示W(λ1,Tr)和W(λ2,Tr),式(9)可以表示为:

(j)在真空高温炉烘烤状态下,金属样品的真实表面温度T可以通过安装在其表面的热电偶测得,真空高温炉内壁温度Tr通过水冷装置控制,将温度和波长代入式(3),W1、W1、Wr1、Wr2的值均可算出;L1和L2可以通过预览窗口两个灰度图上待测点的灰度值求出,此时式(16)中仅有发射率ε这一个未知量,此时金属样品在烘烤温度T下的发射率ε即可求出;

(k)在多个不同的烘烤温度下计算金属样品的发射率,得到一组金属样品表面温度T与对应的发射率ε,使用式(17)所示的函数模型拟合出金属样品表面温度T与对应的发射率ε的函数关系:

拟合结果用式(18)表示:

ε=f(T) (18)

在所述步骤(3)中,包括以下步骤:

(l)在对金属目标进行实际测温过程中,式(16)依然成立,将式(18)带入到式(16)中,通过热像仪图像的灰度值可以计算出L1和L2,此时式(16)等号右侧仅有金属目标表面温度T这一个未知量,将代入式(16)即可求出金属目标表面温度T。

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