[发明专利]失真补偿设备和方法、计算机可读存储介质和通信设备在审
申请号: | 202110318695.8 | 申请日: | 2021-03-25 |
公开(公告)号: | CN113472300A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 大西政彦;持田英史 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 李兰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 失真 补偿 设备 方法 计算机 可读 存储 介质 通信 | ||
本发明涉及失真补偿设备和方法、计算机可读存储介质和通信设备。提供的是一种失真补偿设备,所述失真补偿设备使用失真补偿模型来对要由放大器放大的信号进行失真补偿,在所述放大器中影响失真特性的内部状态改变,其中,所述失真补偿模型包括:多个计算模型,所述多个计算模型具有针对处于不同内部状态的所述放大器的相应的失真补偿特性;和组合器,所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合所述多个计算模型。
技术领域
本公开涉及一种失真补偿设备、失真补偿方法、非暂时性计算机可读存储介质和通信设备。
背景技术
放大器具有失真特性。失真特性也被称为非线性特性。失真特性由例如AM-AM特性或AM-PM特性表示。
在放大器中,影响失真特性的内部状态可能改变。内部状态是例如Idq漂移的生成的状态,该Idq漂移是流过放大器的空闲电流Idq改变的现象。Idq漂移的生成改变放大器的失真特性。
Idq漂移是由进入到半导体中的杂质能级中的载流子的捕获而引起的现象,并且是在使用诸如GaN的化合物半导体的器件中引起的,特别是在高电子迁移率晶体管(HEMT)中引起的。Idq漂移的波动改变放大器的失真特性。
在日本专利申请公开No.2017-220744和2014-17670中公开了一种用于补偿由于Idq漂移而导致的失真特性的方法。
发明内容
然而,在针对影响失真特性的内部状态改变的放大器的失真补偿中,期望使用与改变的内部状态相对应的失真补偿特性。尽管专利文件1和2公开了用于补偿由于Idq漂移而导致的失真特性的方法,但是未公开用于适当地表达与改变的内部状态相对应的失真补偿特性的方法。因此,不可能适当地进行与改变的内部状态相对应的失真补偿。
因此,期望使用与改变的内部状态相对应的失真补偿特性的失真补偿。
本公开的一方面是一种失真补偿设备。本公开的失真补偿设备是一种使用失真补偿模型来对要由放大器放大的信号进行失真补偿的失真补偿设备,在所述放大器中影响失真特性的内部状态是改变的,其中,所述失真补偿模型包括:多个计算模型,所述多个计算模型具有针对处于不同内部状态的放大器的相应的失真补偿特性;和组合器,所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合所述多个计算模型。
本公开的另一方面是一种失真补偿方法。本公开的失真补偿方法是一种用于对要由放大器放大的信号进行失真补偿的失真补偿方法,在所述放大器中影响失真特性的内部状态是改变的,所述失真补偿方法包括:失真补偿设备以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合具有针对处于不同内部状态的所述放大器的相应的失真补偿特性的多个计算模型的步骤。
本公开的另一方面是一种计算机程序。本公开的计算机程序是一种用于对要由放大器放大的信号进行失真补偿的计算机程序,在所述放大器中影响失真特性的内部状态是改变的,所述计算机程序使计算机执行处理,所述处理包括:以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合具有针对处于不同内部状态的所述放大器的相应的失真补偿特性的多个计算模型。
本公开的另一方面是一种通信设备。本公开的通信设备是一种通信设备,所述通信设备包括:放大器,所述放大器放大用于通信的信号;和失真补偿设备,所述失真补偿设备使用失真补偿模型来对信号进行失真补偿,其中,所述放大器被配置为使得影响失真特性的内部状态是改变的,其中,所述失真补偿模型包括:多个计算模型,所述多个计算模型具有针对处于不同内部状态的所述放大器的相应的失真补偿特性;和组合器,所述组合器以与改变的所述内部状态相对应的组合比组合所述多个计算模型。
附图说明
图1是根据第一实施例的失真补偿设备中的失真补偿处理单元的框图;
图2是通信设备的配置图;
图3是失真补偿设备的硬件配置图;
图4是失真补偿模型的说明图;
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