[发明专利]用于图像传感器的转换速率控制电路

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

第一电压轨和第二电压轨；

第一调节器，具有耦合到所述第一电压轨的输出并且被配置为生成第一调节电压；

第二调节器，具有耦合到所述第二电压轨的输出并且被配置为生成低于所述第一调节电压的第二调节电压；以及

多个像素，被耦合到所述第一电压轨和所述第二电压轨，其中所述多个像素中的每个像素包括：

第一存储电容器和第二存储电容器；

第一晶体管，具有耦合到所述第一存储电容器的电流路径；

第二晶体管，具有耦合到所述第二存储电容器的电流路径；以及

第三晶体管，被耦合在所述第一晶体管的控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间，其中所述第三晶体管被配置为：当所述图像传感器以全局快门模式操作时，将在所述第二晶体管的控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为第一转换速率，并且当所述图像传感器以滚动模式操作时，将在所述第二晶体管的所述控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为第二转换速率，所述第一转换速率小于所述第二转换速率。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第三晶体管被配置为：仅在所述第一晶体管或所述第二晶体管从第一状态到第二状态的转变期间，将所述第二晶体管的所述控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间的电流的所述转换速率限制为所述第一转换速率。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一状态为高并且对应于所述第一调节电压，并且其中所述第二状态为低并且对应于所述第二调节电压。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第三晶体管被耦合在所述第二晶体管的所述控制端与所述第二电压轨之间。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个像素还包括第四晶体管，所述第四晶体管被耦合在所述第一晶体管的控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间，其中所述第四晶体管被配置为：当所述图像传感器以全局快门模式操作时，将在所述第一晶体管的所述控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为所述第一转换速率，并且当所述图像传感器以滚动模式操作时，将在所述第一晶体管的所述控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间流动的电流的转换速率限制为所述第二转换速率，所述第一转换速率小于所述第二转换速率。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素中的激活像素的所述第二晶体管中的每个第二晶体管的控制端的聚集电容在全局快门模式期间比在滚动模式期间大至少100倍。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中在全局快门模式期间，所述多个像素中的激活像素的所述第二晶体管中的每个第二晶体管的控制端的聚集电容比与所述第一电压轨或所述第二电压轨相关联的电容大至少50倍。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中每个像素还包括第一电流镜，所述第一电流镜包括所述第三晶体管和第四晶体管。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一电流镜具有M:1的比率，其中M为大于1的正整数。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中M为100。

11.根据权利要求8所述的图像传感器，每个像素还包括第二电流镜，所述第二电流镜被耦合在所述第二晶体管的所述控制端与所述第一电压轨或所述第二电压轨之间，其中所述第一电流镜在滚动模式期间被禁用，并且其中所述第二电流镜在全局快门模式期间被禁用。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中所述第二电流镜具有1:1的比率。