[发明专利]一种窄带B区紫外长余辉发光材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，包括：

将物料和助熔剂混合，先进行低温预烧，然后进行高温烧结，得到窄带B区紫外长余辉发光材料；

所述物料包括含Y化合物、含Gd化合物、含Ga化合物和含Bi化合物；

所述窄带B区紫外长余辉发光材料为Y_3-x-yGd_xGa₅O₁₂:yBi³⁺，其中0＜x≤1，0＜y≤1%，y为Bi³⁺占Y_3-x-yGd_xGa₅O₁₂的摩尔百分比，低温预烧温度为800~1000 ℃，低温预烧的预烧时间为1~3 h。

2.根据权利要求1所述的一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，0.1≤x≤1，0＜y≤1%。

3.根据权利要求2所述的一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，0.1%≤y≤1%。

4.根据权利要求3所述的一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，0.1%≤y≤0.5%。

5.根据权利要求4所述的一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，y为0.3%。

6.根据权利要求4所述的一种窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述窄带B区紫外长余辉发光材料选自Y_2.497Gd_0.5Ga₅O₁₂:0.3%Bi³⁺、Y_2.895Gd_0.1Ga₅O₁₂:0.5%Bi³⁺、Y_2.69Gd_0.3Ga₅O₁₂:1%Bi³⁺、Y_2.197Gd_0.8Ga₅O₁₂:0.3%Bi³⁺和Y_1.995Gd₁Ga₅O₁₂:0.5%Bi³⁺。

7.根据权利要求1所述的窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括：将物料和助熔剂混合研磨，低温预烧获得的产物进行再次研磨，压片后升温至不低于1400℃进行高温烧结，得到窄带B区紫外长余辉发光材料。

8.根据权利要求1所述的窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述含Y化合物是指含有Y元素的化合物，具体为氢氧化钇、氧化钇、碳酸钇。

9.根据权利要求1所述的窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，其特征在于，所述含Gd化合物是指含有Gd元素的化合物，具体为氢氧化钆、氧化钆、碳酸钆。

10.根据权利要求1所述的窄带B区紫外长余辉发光材料的制备方法，所述含Ga化合物是指含有Ga元素的化合物，具体为氢氧化镓、硝酸镓、氧化镓。