[发明专利]一种散热装置及热场在审

专利信息
申请号: 202110304500.4 申请日: 2021-03-22
公开(公告)号: CN115110141A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 马少林;邓浩;付泽华;丁彪 申请(专利权)人: 隆基绿能科技股份有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 赵娟
地址: 710100 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 散热 装置
【说明书】:

发明提供了一种散热装置及热场,该散热装置包括:筒状本体;筒状本体包括:内筒体和套设在内筒体外部的外筒体;内筒体和外筒体围成用于装载冷却介质的第一空间;内筒体具有远离外筒体的内表面,内表面设置有凸起组件;凸起组件包括至少一个凸起件;所述凸起件具有与所述内表面相连接的第一面。在本发明实施例中,设置筒状本体能够包围在硅棒的四周,对单晶硅棒进行均匀的散热;其次,在筒状本体内设置第一空间,能够装载冷却介质,对单晶硅棒进行散热,最后,在筒状本体的内筒体上设置凸起件,能够增加热量的接收面积,提高热量的散出速度。

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域,特别是涉及一种散热装置及热场。

背景技术

目前,光伏电池大部分使用单晶硅作为基底材料,而单晶硅通常是采用直拉法制备而成,但是现有的直拉法生产单晶硅的生长速度慢,进而导致光伏电池的生产效率低,生产成本较高。

在制备单晶硅时,在坩埚中容置硅原料熔体,用坩埚的上方的提拉头从坩埚中拉制单晶硅,热屏包围在单晶硅的外侧,对单晶硅进行散热,单晶硅和硅熔体之间的界面为熔体液面,通常情况下,增加原料熔体液面上方的单晶硅的轴向温度梯度能够提高单晶硅的生长速度,此外降低原料熔体液面下方的硅液的温度梯度也能够提高单晶硅的生长速度;但是当原料熔体液面上方的单晶硅的轴向温度梯度过大时,会导致单晶硅生长质量下降的问题,但是现有技术并没有提供在增加单晶硅生长的速度的同时,保证单晶硅的质量的方法。

发明内容

本发明提供一种散热装置,能够解决如何在增加单晶硅生长的速度的同时,保证单晶硅的质量的问题。

第一方面,本发明实施例提供了所述散热装置包括:筒状本体;

所述筒状本体包括:内筒体和套设在所述内筒体外部的外筒体;所述内筒体和所述外筒体围成用于装载冷却介质的第一空间;所述内筒体具有远离所述外筒体的内表面,所述内表面设置有至少一个凸起组件;每个所述凸起组件包括至少一个凸起件;

所述凸起件具有与所述内表面相连接的第一面;所述内筒体的内表面在所述第一面处的切平面为第二面;所述第一面与所述第二面在预设方向的夹角大于0°且小于90°。

可选地,所述凸起件为空心结构;所述凸起件内具有第二空间;所述第二空间与所述第一空间连通。

可选地,所述内筒体的内表面设置有导热层;所述导热层用于将所述内筒体的热量导出或者向所述内筒体传递热量。

可选地,所述导热层的材料的导热率高于不锈钢的导热率。

可选地,所述内筒体在所述筒状本体的中心轴向上包括:至少一个直筒和至少一个渐变形筒;其中,一个所述直筒与一个所述渐变形筒相连接;所述渐变形筒位于所述直筒远离所述熔体液面的一侧,从所述筒状本体的远离熔体液面的一端到所述筒状本体朝向所述熔体液面的一端,所述渐变形筒到所述筒状本体的中心轴线的距离减小。

可选地,所述凸起组件至少设置在所述内筒体靠近所述熔体液面处。

可选地,同一个所述凸起组件内的凸起件在所述内筒体的内表面上相较于所述筒状本体的中心轴线均匀分布;一个所述凸起组件设置在所述直筒的内表面,和/或,一个所述凸起组件设置在所述渐变形筒的内表面。

可选地,所述凸起件包括与所述内表面相连接的第一凸起部,所述第一面位于所述第一凸起部,所述第一凸起部的截面形状为矩形。

可选地,所述凸起件还包括与第一凸起部相连接的第二凸起部;所述凸起件的截面形状为L形或T形。

本发明第二方面提供一种热场,包括上述任意一项所述的散热装置;还包括:热屏;所述热屏位于所述散热装置的外侧。

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