[发明专利]零维Cs2

权利要求书

1.零维Cs₂CuCl₄纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将2.5毫摩尔的碳酸铯、2.5毫升的油酸和10毫升的十八烯混合并加热到100℃，在氮气下维持2小时，获得油酸铯前驱液；

（2）将0.27毫摩尔的氯化铜、5毫升的十八烯、0.5毫升油酸和0.5毫升油胺混合并加热到100℃，在氮气下维持2小时，去除混合物中的水分；

（3）随后在100℃下，向步骤（2）的混合物中快速注入0.5毫升的油酸铯前驱液，在反应5分钟后使用冰水浴将其快速冷却，将冷却后的溶液进行离心提纯，得到零维Cs₂CuCl₄纳米晶。

2.基于零维Cs₂CuCl₄纳米晶的绿光LED，其特征在于，包括透明导电的衬底，透明导电衬底上依次设有空穴注入层、空穴传输层、Cs₂CuCl₄纳米晶发光层、电子传输层以及接触电极，零维Cs₂CuCl₄纳米晶采用权利要求1所述制备方法制备。

3.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，Cs₂CuCl₄纳米晶发光层厚度为40~80纳米，其中单个纳米晶的尺寸为14~20纳米。

4.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，衬底为ITO导电玻璃，其厚度为120~150纳米，电阻率为1.0×10^–4~5.0×10^–3欧姆∙厘米。

5.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，空穴注入层为聚乙撑二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸钠，其厚度为25~35纳米。

6.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，空穴传输层为聚[双（4-苯基）（4-丁基苯基）胺]或聚（9-乙烯基咔唑）或两者复合层，厚度为10~60纳米。

7.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，电子传输层为1，3，5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯，其厚度为30~50纳米。

8.根据权利要求2所述的绿光LED，其特征在于，接触电极为氟化锂和金属铝的复合材料，其厚度为100~150纳米。

9.权利要求2-8之一所述的基于零维Cs₂CuCl₄纳米晶的绿光LED的制备方法，包括以下步骤：

（1）清洗透明导电的衬底；

（2）采用低温溶液法在衬底上制备空穴注入层；

（3）在空穴注入层上采用低温溶液法制备空穴传输层；

（4）将Cs₂CuCl₄纳米晶溶液采用溶液旋涂法在空穴传输层上制备Cs₂CuCl₄纳米晶发光层；

（5）采用热真空蒸镀法在Cs₂CuCl₄纳米晶发光层上制备电子传输层；

（6）采用热真空蒸镀法在电子传输层上制备电极。