[发明专利]一种强化辐射制冷领域的复合结构表面有效
申请号: | 202110295321.9 | 申请日: | 2021-03-19 |
公开(公告)号: | CN113063240B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 崔贵成;吕继组;高林松;白敏丽 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | F25B23/00 | 分类号: | F25B23/00;B32B15/01;B32B3/08 |
代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 温福雪 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 强化 辐射 制冷 领域 复合 结构 表面 | ||
本发明属于辐射制冷技术领域,提出了一种强化辐射制冷领域的复合结构表面。该表面基于钛‑锗‑钨的材料堆叠顺序,其中对于钛金属需要进行尺寸的设计并制备长、宽和厚度依次为1μm、0.2μm和0.06μm的金属条带分别置于钨衬底和电介质层锗之上,这些金属条带在平行和垂直方向交错分布,相邻且平行的条带间距设置为1μm。中间的锗介质层设置为0.6μm,同时金属钨设置为金属衬底,其厚度设置为2μm。本发明具备制备可行性强、辐射特性突出的特点,该表面能够在大气窗口波段具有较高的光谱发射率,满足辐射制冷的要求。
技术领域
本发明属于辐射制冷技术领域,涉及一种强化辐射制冷领域的复合结构表面。
背景技术
大气对某些特殊波段,如8-13μm区间的电磁波,具有极高的透射性能,使得电磁波能够直接辐射至宇宙空间,故该波段被称为大气窗口。根据大气窗口的热力学应用价值,辐射制冷作为一种被动式的散热方式被提出,其目的是将波长处于8-13μm光谱区间的电磁波强化辐射,并抑制该范围以外电磁波的发射。超材料电磁发射器能够通过微观调控的方式,使表面在大气窗口波段具有高发射率的特性,从而满足辐射制冷的要求。
随着纳米技术的进步,应用于辐射制冷的微纳模型被广泛研究和提出。如文献Wang H,Prasad Sivan V,Mitchell A,Rosengarten G,Phelan P,Wang L.Highlyefficient selective metamaterial absorber for high-temperature solar thermalenergy harvesting.Solar Energy Materials and Solar Cells.2015;137:235-42.提出了Ti-MgF2-W结构的梯形微表面,通过改变Ti金属的几何参数,在可见光波段具有高吸收率,并且在大气窗口区间高发射率的特性,将其应用在太阳能电池表面,可同时满足辐射制冷和光伏发电的功能。同样,文献Liu Q,Wu W,Lin S,Xu H,Lu Y,Song W.Non-taperedmetamaterial emitters for radiative cooling to low temperature limit.OpticsCommunications.2019;450:246-51.中通过在竖直方向上堆叠若干层金属—介质—金属的圆柱形周期性光栅结构,使其在大气窗口波段平均发射率达到了0.8,温度降低55K。这些结构在设计上具有极大的灵活性和创新性,但是整体结构较为复杂,并且对制备精度要求较高,难以大范围普及和应用。另外,学者们提出的模型在理论上依旧存在光谱发射率低、发射带宽窄、光谱选择性差等问题,结合复杂的模型设计,并不利于辐射制冷领域的广泛应用。因此,开发一种结构设计简易、制备难度低,且能够很好地满足大气窗口区间(8-13μm)持续高发射特性的表面显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的是为了解决辐射结构表面设计复杂、光谱辐射特性差等问题,提出了一种基于钛-锗-钨的复合结构表面。
本发明技术方案:
一种强化辐射制冷领域的复合结构表面,包括金属钨衬底,半导体锗电介质层和钛金属条,半导体锗电介质层位于金属钨衬底上,钛金属条位于半导体锗电介质层上;
所述的金属钨衬底的厚度L8为2-2.5μm;所述的半导体锗电介质层L7为0.6-0.8μm;所述的钛金属条的长度L3为1-1.2μm,宽度L4为0.2-0.25μm,高度L9为0.06-0.08μm;钛金属条垂直和平行交错分布在半导体锗电介质层上;两平行钛金属条在平行方向的间距L2为1μm,两垂直钛金属条在平行方向距离为L3+2L1为1.8-2μm;两垂直钛金属条在垂直方向的距离L6为1μm,两平行钛金属条在垂直方向距离L3+2L5为1.8-2μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110295321.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。