[发明专利]一种发热元件温度检测方法在审

专利信息
申请号: 202110291978.8 申请日: 2021-03-18
公开(公告)号: CN113155304A 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 何志杰;李帆;李双;吴兵 申请(专利权)人: 深圳市陵盛科技有限公司
主分类号: G01K11/14 分类号: G01K11/14
代理公司: 贵州科峰专利商标事务所(普通合伙) 52105 代理人: 穆元城
地址: 518110 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 发热 元件 温度 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种发热元件温度检测方法,其特征在于:包括以下步骤:

a.取需要进行表面温度测量的发热元件,以作备用,得备件;

b.取温变涂料,在所得备件表面利用温变涂料进行喷涂温变涂层,晾干,得喷涂后的发热元件;

c.取喷涂后的发热元件进行装配,在装配的发热元件上配置一个线性光感传感器,并将线性光感传感器用于显示监控状况的显示器;

d.启动设备,使装配好的发热元件运作,并同时运行线性光感传感器及显示器;

e.发热元件运作发热,并将相应热量传递给温变涂层,温变涂层将温度信息反馈给线性光感传感器,线性光感传感器将相应的温度信息传递给显示器,并通过显示器将相应的温度信息显示出来,实现发热元件的温度测量。

2.根据权利要求1所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述发热元件包括载流导体及电机壳体。

3.根据权利要求1所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述温变涂料为至少具有两种颜色的可逆性温变涂料。

4.根据权利要求3所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述可逆性温变涂料为碘化合物及胺化合物中的一种。

5.根据权利要求4所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述碘化合物为HgI2、Ag2-HgI4、AgHgI4及Cu2HgI4中的一种。

6.根据权利要求4所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述胺化合物为CoCl·2C6H12N4·10H2O、CoBr2·2C6H12N4·10H2O、CoI2·2C6H12N4·10H2O、CoSO4·C6H12N4·9H2O、NiBr2·2C6H12N4·10H2O、NiCl2·2C6H12N4·10H2O及Ni(NO3)2·2C6H12N4·10H2O中的一种。

7.根据权利要求1所述的发热元件温度检测方法,其特征在于:所述温变涂层的厚度为0.5-8mm。

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