[发明专利]量子点、包括量子点的量子点聚合物复合物和显示装置

说明书

公开了一种量子点、包括该量子点的量子点聚合物复合物和显示装置，其中，量子点包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。

本申请要求于2020年3月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0031618号韩国专利申请的优先权和权益以及由此获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

公开了量子点、包括该量子点的组合物或复合物以及包括该量子点的显示装置。

背景技术

与体(bulk)材料不同，半导体纳米颗粒的物理特性(例如，带隙能和熔点)可以通过改变纳米颗粒的尺寸来控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也被称为量子点)是具有几纳米的范围内的尺寸的晶体材料。因为半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸，所以纳米晶体颗粒具有大的每单位体积的表面积，因此，颗粒呈现出量子限制效应，并且将具有与相同的化学组成的体材料不同的性质。量子点可以吸收来自激发源(例如，光或施加的电流)的能量，并且在弛豫到基态时，量子点发射与量子点的带隙能对应的光能。

发明内容

实施例提供了能够呈现出改善的光致发光性质的量子点和包括该量子点的组合物。

实施例提供了一种包括量子点的量子点复合物。

实施例提供了一种制造量子点的方法。

实施例提供了一种包括量子点的电子装置。

在实施例中，量子点(或多个量子点)包括：模板，包括第一半导体纳米晶体；量子阱(例如，量子阱层)，设置在模板上；以及壳，设置在量子阱层上，壳包括第二半导体纳米晶体，并且其中，量子点不包括镉，其中，第一半导体纳米晶体包括第一锌硫属化物，其中，第二半导体纳米晶体包括第二锌硫属化物，并且量子阱层包括包含铟(In)、磷(P)、锌(Zn)和硫属元素的合金半导体纳米晶体，其中，合金半导体纳米晶体的带隙能比第一半导体纳米晶体的带隙能小，且比第二半导体纳米晶体的带隙能小。

第一锌硫属化物可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合，第二锌硫属化物可以独立地包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可以具有彼此不同的组成。

第一半导体纳米晶体和第二半导体纳米晶体可以具有彼此相同的组成。

量子阱层可以与模板(例如，直接)相邻(例如，(例如，直接)在模板上或与模板(例如，直接)接触)。

量子阱层可以与壳(例如，直接)相邻(例如，(例如，直接)在壳上或与壳(例如，直接)接触)。

第一半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnTeSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

第二半导体纳米晶体可以包括ZnSe、ZnSeS、ZnS或它们的组合。

硫属元素可以包括硫。

合金半导体纳米晶体与第一半导体纳米晶体的晶格常数之间的差可以小于或等于约3％。

合金半导体纳米晶体与第二半导体纳米晶体的晶格常数之间的差可以小于或等于约3％。

基于量子点中的元素的总摩尔数(例如，通过ICP分析测量)，量子点可以具有小于或等于约20％的铟和磷的总摩尔量。