[发明专利]光发射结构、显示设备及子像素结构有效
申请号: | 202110272512.3 | 申请日: | 2021-03-12 |
公开(公告)号: | CN113497204B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H10K59/121 | 分类号: | H10K59/121;H10K59/122;H10K59/123;H10K59/131;H10K50/844 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 叶乙梅 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 结构 显示 设备 像素 | ||
1.一种光发射结构,其特征在于,其包括:
基板;
子像素堆栈,其位于所述基板表面上方;
堤,其包围所述子像素堆栈并在所述子像素堆栈上方形成内部空间;
第一填充材料,其位于所述内部空间中并具有第一折射率;
第二填充材料,其位于所述第一填充材料上方并具有低于所述第一折射率的第二折射率;以及
位于所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面,其中:
所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述子像素堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰到所述第一填充材料中,并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰到所述第一填充材料中;
所述第一发射峰在基本上没有全内反射的情况下经过所述界面发射;
所述第二个发射峰在到达所述堤的倾斜侧壁之前被所述界面完全内部反射;并且
所述第二发射峰被所述倾斜侧壁反射,并在基本上没有全内反射的情况下沿着所述在轴方向经过所述界面发射。
2.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,所述子像素堆栈包括:
发射层,其位于第一传输层和第二传输层之间;
第一电极层,其耦合到所述第一传输层;以及
第二电极层,其耦合到所述第二传输层。
3.根据权利要求2所述的光发射结构,其特征在于,
所述子像素堆栈被配置为发射具有中心波长的多个波长的光,
所述第一电极层是位于所述基板上的具有金属层的底部反射器,
所述发射层与所述底部反射器之间的距离是预先定义的,使得所述子像素堆栈沿着所述在轴方向发射所述第一发射峰到所述第一填充材料中,并且沿着所述离轴方向发射所述第二发射峰到所述第一填充材料中。
4.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述堤的倾斜侧壁与所述子像素堆栈的顶面之间的角度是所述第一发射峰的在轴方向与所述第二发射峰的离轴方向之间的角度的一半。
5.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述子像素堆栈被配置为发射具有中心波长的多个波长的光,
对于所述子像素堆栈发射的比所述中心波长短的波长,所述第一发射峰比第二发射峰的强度高。
6.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述子像素堆栈被配置为发射具有中心波长的多个波长的光,
对于所述子像素堆栈发射的比所述中心波长更长的波长,所述第一发射峰比第二发射峰的强度低。
7.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述第二填充材料覆盖所述第一填充材料的整个顶面。
8.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述第二填充材料覆盖所述第一填充材料的顶面的一部分。
9.根据权利要求1所述的光发射结构,其特征在于,
所述界面相对于所述子像素堆栈的顶面具有倾斜角,使得所述第二发射峰在到达所述堤的倾斜侧壁之前被反射。
10.根据权利要求2所述的光发射结构,其特征在于,
所述发射层包括量子点发射材料;
所述第一传输层包括空穴传输层;
所述第二传输层包括电子传输层;
所述第一电极层是阳极层,其包括用于反射从所述发射层发射的光的金属反射器;以及
所述第二电极层是阴极层,其包括非金属且基本透明的材料。
11.根据权利要求2所述的光发射结构,其特征在于,
所述第二折射率与所述第一折射率基本相同。
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