[发明专利]发射器在审

专利信息
申请号: 202110267982.0 申请日: 2021-03-12
公开(公告)号: CN115085744A 公开(公告)日: 2022-09-20
发明(设计)人: 黄亭尧;张腾远;王柏之;陈家源 申请(专利权)人: 瑞昱半导体股份有限公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 北京市君合律师事务所 11517 代理人: 毕长生;魏宇明
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发射器
【权利要求书】:

1.一种发射器,包括:

一混波器,用以使用一第一振荡信号以及一第二震荡信号来分别对一第一基带信号以及一第二基带信号进行混波操作,以产生一第一混波信号至一第一节点、并产生一第二混波信号至一第二节点;

一第一谐波阻抗调谐电路,耦接于所述第一节点与所述第二节点之间,用以降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号的谐波成分,以产生一调整后第一混波信号及一调整后第二混波信号;以及

一放大器,耦接于所述第一谐波阻抗调谐电路,用以根据所述调整后第一混波信号及所述调整后第二混波信号以产生一放大信号。

2.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:

一第一电容,耦接于所述第一节点与一接地电压之间;以及

一第二电容,耦接于所述第二节点与所述接地电压之间。

3.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:

一第一电容,耦接于所述第一节点与一特定节点之间;

一第二电容,耦接于所述第二节点与所述特定节点之间;以及

一电感,耦接于所述特定节点与一接地电压之间。

4.根据权利要求3所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路是用来降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号中具有两倍于所述第一/第二振荡信号的频率的谐波成份。

5.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述第一谐波阻抗调谐电路包括:

一第一电容,耦接于所述第一节点与一特定节点之间;

一第二电容,耦接于所述第二节点与所述特定节点之间;

一第一电感,耦接于所述特定节点与一接地电压之间;

一第三电容,耦接于所述第一节点与另一特定节点之间;

一第四电容,耦接于所述第二节点与所述另一特定节点之间;以及

一第二电感,耦接于所述另一特定节点与所述接地电压之间。

6.根据权利要求5所述的发射器,其特征在于,所述第一电容、所述第二电容以及所述第一电感是用来降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号中具有一第一频率的谐波成份,且所述第三电容、所述第四电容以及所述第二电感是用来降低所述第一混波信号以及所述第二混波信号中具有一第二频率的谐波成份。

7.根据权利要求6所述的发射器,其特征在于,所述第一频率为两倍于所述第一/第二振荡信号的频率。

8.根据权利要求6或7所述的发射器,其特征在于,所述第二频率为三倍或四倍于所述第一/第二振荡信号的频率。

9.根据权利要求1所述的发射器,其特征在于,所述放大器根据所述调整后第一混波信号及所述调整后第二混波信号以产生一第一放大信号至一第三节点、并产生一第二放大信号至一第四节点,以及所述发射器包括:

一第二谐波阻抗调谐电路,耦接于所述第三节点与所述第四节点之间,用以降低所述第一放大信号以及所述第二放大信号的谐波成分。

10.根据权利要求9所述的发射器,其特征在于,所述第二谐波阻抗调谐电路包括:

一第一电容,耦接于所述第一节点与一特定节点之间;

一第二电容,耦接于所述第二节点与所述特定节点之间;以及

一电感,耦接于所述特定节点与一接地电压之间。

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