[发明专利]一种铝药筒的微弧氧化处理方法

权利要求书

1.一种铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于包括以下制备工艺步骤：

1)清洁：将铝药筒进行清洁；

2)抛光：将铝药筒外壁进行抛光，然后采用可剥离的电绝缘性保护涂层涂覆在铝药筒的外壁；

3)铝药筒内壁进行微弧氧化：将铝药筒置入微弧氧化电解液中对铝药筒内壁进行微弧氧化，其中电解液为：硅酸钠2～8g/L，硼砂0.5～1g/L，铝酸钠1～3g/L，氢氧化钠0.5～2g/L，二氧化钛与氧化锌均为1～3g/L；

4)铝药筒外壁进行微弧氧化：对铝药筒进行清洁，然后去除电绝缘性涂层，将铝药筒的筒口堵闭，将铝药筒置入微弧氧化电解液中对铝药筒外壁进行微弧氧化，其中电解液为：硅酸钠2～8g/L，硼砂0.5～1g/L，铝酸钠1～3g/L，氢氧化钾0.5～2g/L，石墨烯2～5g/L，二硫化钼0.1～1g/L，碳化硅0.5～3g/L；

5)封孔：将铝药筒的内外微弧氧化膜层进行封孔。

2.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤2)中，抛光后铝药筒外壁的粗糙度Ra为0.2～1.6；保护涂层为聚乙醇缩丁醛。

3.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤3)中，微弧氧化电参数设定为：

i)第一阶段：正电压530～550V，负电压50～250V，频率为800～1500Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为15～20min；

ii)第二阶段正电压480～500V，负电压50～250V，频率为800～1500Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为15～20min；

iii)第三阶段：正电压430～450V，负电压50～250V，频率为800～1500Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为15～20min。

4.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤3)中，微弧氧化过程中通过冷却装置对铝药筒内的电解液进行冷却，所述冷却装置包括供铝药筒内电解液流出的出液管以及供液体回流到铝药筒内的回液管，所述出液管和回液管之间设有提供动力的第一电机以及换热器；

微弧氧化过程中通过补液装置将铝药筒外的电解液不断补充到铝药筒内，所述补液装置包括将铝药筒内电解液抽到铝药筒外的抽液管，将铝药筒外的电解液补充到铝药筒内的进液管，为抽液和补液提供动力的第二电机。

5.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤3)中，电解液采用外加直流电源并施加磁场，磁场强度为50～350Gs。

6.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤4)中，微弧氧化电参数设定为：

i)第一阶段：正电压530～550V，负电压50～100V，频率为500～1000Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为5～10min；

ii)第二阶段正电压480～500V，负电压50～250V，频率为500～1000Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为5～10min；

iii)第三阶段：正电压430～450V，负电压50～100V，频率为500～1000Hz，占空比为5～20％，电解液温度保持在15～40℃，微弧氧化时间为5～10min。

7.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤4)中，铝药筒内装有供冷却的水，且通过权利要求4所述的冷却装置进行冷却，所述出液管和回液管内为水。

8.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤3)和步骤4)中，各铝药筒竖向位于电解液中，所述步骤3)中，各铝药筒的横向间距为30～40mm，所述步骤4)中，各铝药筒的横向间距为60～80mm。

9.根据权利要求1所述的铝药筒的微弧氧化处理方法，其特征在于：所述步骤5)中，采用电泳封孔，电泳漆采用环氧树脂透明漆，具体工艺为：

i)电泳：采用微弧氧化电源，电压为20～60V，频率为50～80Hz，占空比为75～90％，电泳时间为3～10s；

ii)电泳固化工艺：将电泳后铝药筒进行固化处理，温度为150～180℃，保温时间为25～45min。